[發(fā)明專利]具有高質(zhì)量、穩(wěn)定輸出光束及長(zhǎng)壽命高轉(zhuǎn)換效率的非線性晶體的激光器

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710397661.6
• 申請(qǐng)日: 2012-06-28
• 公開（公告）號(hào): CN107342526B
• 公開（公告）日: 2018-12-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 弗拉基米爾·德里賓斯基;勇-霍·亞歷克斯·莊;約瑟夫·J·阿姆斯特朗;約翰·費(fèi)爾登
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 科磊股份有限公司
• 主分類號(hào): H01S3/00
• 分類號(hào): H01S3/00;G02F1/37;C30B29/10;C30B33/02;G01N21/88;G01N21/94;G01N21/95
• 代理公司: 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 張世俊

1.一種使頻率轉(zhuǎn)換晶體退火的方法，所述方法包括：

花約2小時(shí)以上時(shí)間將溫度增加到約150℃；

使所述溫度保持在約150℃約10小時(shí)；

花約1小時(shí)以上時(shí)間將所述溫度增加到約200℃；

使所述溫度保持在150℃到200℃之間約100小時(shí)或更長(zhǎng)；及

花約3小時(shí)以上時(shí)間將所述溫度降低到接近室溫。

2.一種使頻率轉(zhuǎn)換晶體退火的方法，所述方法包括：

(a)花約2小時(shí)以上將溫度增加到約150℃；

(b)使所述溫度保持約150℃達(dá)約10小時(shí)；

(c)在步驟(b)期間，判斷-OH鍵吸收是否處于第一等級(jí)，其中如果-OH鍵吸收不處于所述第一等級(jí)，那么繼續(xù)使所述溫度保持約150℃，且如果-OH鍵吸收處于所述第一等級(jí)，那么前進(jìn)到(d)；

(d)花約1小時(shí)以上將所述溫度增加到約200℃；

(e)使所述溫度保持在150到200℃之間達(dá)約100小時(shí)；

(f)在步驟(e)期間，判斷-OH鍵吸收是否處于第二等級(jí)，其中如果-OH鍵吸收不處于所述第二等級(jí)，那么繼續(xù)使所述溫度保持在150到200℃之間，且如果-OH鍵吸收處于所述第二等級(jí)，那么前進(jìn)到(g)；及

(g)花約3小時(shí)以上將所述溫度實(shí)質(zhì)上降低到室溫。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中所述判斷使用FTIR傅立葉變換紅外光譜法。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中所述FTIR監(jiān)測(cè)紅外光譜中約3580cm^-1處的-OH鍵。

5.一種使頻率轉(zhuǎn)換晶體退火的方法，所述方法包括：

將所述頻率轉(zhuǎn)換晶體的溫度改變到第一設(shè)定點(diǎn)；

使所述頻率轉(zhuǎn)換晶體的所述溫度保持處于所述第一設(shè)定點(diǎn)達(dá)預(yù)焙燒時(shí)段；

將所述頻率轉(zhuǎn)換晶體的所述溫度改變到第二設(shè)定點(diǎn)；

使所述頻率轉(zhuǎn)換晶體的所述溫度保持處于所述第二設(shè)定點(diǎn)達(dá)焙燒時(shí)段；

將所述頻率轉(zhuǎn)換晶體的所述溫度實(shí)質(zhì)上改變到室溫；

其中所述第一設(shè)定點(diǎn)大于100℃，所述預(yù)焙燒時(shí)段大于4小時(shí)，所述第二設(shè)定點(diǎn)大于150℃，且所述焙燒時(shí)段大于50小時(shí)。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中在焙燒過(guò)程期間測(cè)量所述頻率轉(zhuǎn)換晶體以判斷所述退火是否完成。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中所述判斷使用FTIR傅立葉變換紅外光譜法。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中所述FTIR監(jiān)測(cè)紅外線光譜中約3580cm^-1處的-OH鍵。