[發(fā)明專利]一種負(fù)電源轉(zhuǎn)正電源轉(zhuǎn)換電路及正電源轉(zhuǎn)負(fù)電源轉(zhuǎn)換電路

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710388383.8
• 申請(qǐng)日: 2017-05-27
• 公開（公告）號(hào): CN107017771B
• 公開（公告）日: 2019-05-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 孔謀夫;張丙可;陳星弼
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 電子科技大學(xué)
• 主分類號(hào): H02M3/158
• 分類號(hào): H02M3/158
• 代理公司: 電子科技大學(xué)專利中心 51203
• 代理人: 甘茂

1.負(fù)電源轉(zhuǎn)正電源轉(zhuǎn)換電路，包括輸入控制端、第一單元轉(zhuǎn)換模塊、第二單元轉(zhuǎn)換模塊、輸出儲(chǔ)能電容(Co)及供電電源，所述第一單元轉(zhuǎn)換模塊與第二單元轉(zhuǎn)換模塊并聯(lián)后連接于輸入控制端與輸出儲(chǔ)能電容之間；所述第二單元轉(zhuǎn)換模塊由與第一單元轉(zhuǎn)換模塊相同結(jié)構(gòu)的單元轉(zhuǎn)換模塊串聯(lián)一個(gè)反相器構(gòu)成，所述反相器連接于輸入控制端與所述單元轉(zhuǎn)換模塊之間；所述第一單元轉(zhuǎn)換模塊由第一NMOS管(Mn1)、第二NMOS管(Mn2)、單元反相器及單元儲(chǔ)能電容(Ca)構(gòu)成，所述第一、第二NMOS管的襯底電極均接供電電源低電位或者接介于供電電源低電位與源極及漏極最低電位間的任意電位，所述第二NMOS管以二極管形式連接構(gòu)成二極管、所述二極管反向端與輸出儲(chǔ)能電容(Co)連接、正相端連接第一NMOS管的源極，所述第一NMOS管柵極連接輸入控制端、漏極連接電源地或零電位，所述單元反相器輸入端連接輸入控制端、輸出端連接單元儲(chǔ)能電容，所述單元儲(chǔ)能電容另一端連接第一NMOS管的源極。

2.按權(quán)利要求1所述負(fù)電源轉(zhuǎn)正電源轉(zhuǎn)換電路，其特征在于，所述第一單元轉(zhuǎn)換模塊和第二單元轉(zhuǎn)換模塊均可單獨(dú)使用，實(shí)現(xiàn)負(fù)電源轉(zhuǎn)正電源。

3.正電源轉(zhuǎn)負(fù)電源轉(zhuǎn)換電路，包括輸入控制端、第一單元轉(zhuǎn)換模塊、第二單元轉(zhuǎn)換模塊、輸出儲(chǔ)能電容(Co)及供電電源，所述第一單元轉(zhuǎn)換模塊與第二單元轉(zhuǎn)換模塊并聯(lián)后連接于輸入控制端與輸出儲(chǔ)能電容之間；所述第二單元轉(zhuǎn)換模塊由與第一單元轉(zhuǎn)換模塊相同結(jié)構(gòu)的單元轉(zhuǎn)換模塊串聯(lián)一個(gè)反相器構(gòu)成，所述反相器連接于輸入控制端與所述單元轉(zhuǎn)換模塊之間；所述第一單元轉(zhuǎn)換模塊由第一PMOS管(Mp1)、第二PMOS管(Mp2)、單元反相器及單元儲(chǔ)能電容(Ca)構(gòu)成，所述第一、第二PMOS管的襯底電極均接供電電源高電位或者接介于源極及漏極最高電位與供電電源高電位之間的任意電位，所述第二PMOS管以二極管形式連接構(gòu)成二極管、所述二極管正向端與輸出儲(chǔ)能電容(Co)連接、反相端連接第一PMOS管的源極，所述第一PMOS管柵極連接輸入控制端、漏極連接電源地或零電位，所述單元反相器輸入端連接輸入控制端、輸出端連接單元儲(chǔ)能電容，所述單元儲(chǔ)能電容另一端連接第一PMOS管的源極。

4.按權(quán)利要求3所述正電源轉(zhuǎn)負(fù)電源轉(zhuǎn)換電路，其特征在于，所述第一單元轉(zhuǎn)換模塊和第二單元轉(zhuǎn)換模塊均可單獨(dú)使用，實(shí)現(xiàn)正電源轉(zhuǎn)負(fù)電源。