[發明專利]移位寄存器和顯示裝置以及其驅動方法有效
| 申請號： | 201710387196.8 | 申請日： | 2010-09-21 |
| 公開（公告）號： | CN107180608B | 公開（公告）日： | 2020-10-02 |
| 發明（設計）人： | 小山潤 | 申請（專利權）人： | 株式會社半導體能源研究所 |
| 主分類號： | G09G3/3208 | 分類號： | G09G3/3208;G09G3/36;G11C19/28 |
| 代理公司： | 中國貿促會專利商標事務所有限公司 11038 | 代理人： | 程晨 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 移位寄存器 顯示裝置 及其 驅動 方法 | ||
1.一種制造顯示裝置的方法，所述顯示裝置包括驅動電路，所述驅動電路包括移位寄存器，所述移位寄存器包括晶體管，所述晶體管包括：
在基板之上的第一柵極電極；
在所述第一柵極電極之上的第一絕緣層；
氧化物半導體層，包括在所述第一絕緣層之上的溝道形成區域，所述氧化物半導體層包括銦、鎵和鋅；
在所述氧化物半導體層之上的第二絕緣層；以及
在所述第二絕緣層之上的第二柵極電極，
其中，所述第一柵極電極在所述晶體管的溝道寬度方向上延伸超過所述氧化物半導體層的側邊緣，
其中，所述第二柵極電極在所述晶體管的所述溝道寬度方向上延伸超過所述氧化物半導體層的所述側邊緣，以及
其中，所述方法包括：
形成所述氧化物半導體層；
在高于或等于400℃且低于750℃的溫度下執行第一加熱處理，以執行所述氧化物半導體層的脫水或脫氫處理；
在所述脫水或脫氫處理之后，形成與所述氧化物半導體層接觸的氧化物絕緣層；以及
在形成所述氧化物絕緣層后，執行第二加熱處理，以對所述氧化物半導體層和所述氧化物絕緣層進行加熱，使得所述氧化物半導體層的與所述氧化物絕緣層接觸的區域的電阻在所述氧化物半導體層的深度方向上增加。
2.一種制造顯示裝置的方法，所述顯示裝置包括驅動電路，所述驅動電路包括移位寄存器，所述移位寄存器包括晶體管，所述晶體管包括：
在基板之上的第一柵極電極；
在所述第一柵極電極之上的第一絕緣層；
氧化物半導體層，包括在所述第一絕緣層之上的溝道形成區域，所述氧化物半導體層包括銦、鎵和鋅；
在所述氧化物半導體層之上的第二絕緣層；以及
在所述第二絕緣層之上的第二柵極電極，
其中，所述第一柵極電極在所述晶體管的溝道寬度方向上延伸超過所述氧化物半導體層的側邊緣，
其中，所述第二柵極電極在所述晶體管的所述溝道寬度方向上延伸超過所述氧化物半導體層的所述側邊緣，以及
其中，所述方法包括：
形成所述氧化物半導體層；
在高于或等于400℃且低于750℃的溫度下執行第一加熱處理，以執行所述氧化物半導體層的脫水或脫氫處理；
在所述脫水或脫氫處理之后，形成與所述氧化物半導體層接觸的氧化物絕緣層；以及
在形成所述氧化物絕緣層之后，在高于或等于200℃且低于或等于400℃的溫度下執行第二加熱處理，以對所述氧化物半導體層和所述氧化物絕緣層進行加熱，使得所述氧化物半導體層的與所述氧化物絕緣層接觸的區域的電阻在所述氧化物半導體層的深度方向上增加。
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