[發明專利]測試結構及凹槽刻蝕檢測方法

有效

• 申請號: 201710386700.2
• 申請日: 2017-05-26
• 公開（公告）號: CN108962877B
• 公開（公告）日: 2020-09-29
• 發明（設計）人: 宋春
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: H01L23/544
• 分類號: H01L23/544;H01L21/66
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時云

1.一種測試結構，其特征在于，包括：

前端結構；

位于所述前端結構上的第一金屬層；

位于所述第一金屬層上的層間介質層，所述層間介質層具有凹槽；

位于所述凹槽中的第二金屬層；以及

分別自所述第一金屬層和所述第二金屬層引出的測試端，以檢測所述第一金屬層和所述第二金屬層之間的擊穿電壓，進而判斷所述凹槽的刻蝕是否異常；

其中，所述第一金屬層和第二金屬層在層疊方向具有重疊的拐角。

2.如權利要求1所述的測試結構，其特征在于，所述第一金屬層包括多個第一金屬塊和多個第一連接線，多個所述第一金屬塊呈陣列狀排布，相鄰所述第一金屬塊之間由所述第一連接線連通。

3.如權利要求2所述的測試結構，其特征在于，所述第一金屬塊呈長方體。

4.如權利要求1所述的測試結構，其特征在于，所述第二金屬層包括多個第二金屬塊和多個第二連接線，多個所述第二金屬塊呈陣列狀排布，相鄰所述第二金屬塊之間由所述第二連接線連通。

5.如權利要求4所述的測試結構，其特征在于，所述第二金屬塊呈長方體。

6.一種凹槽刻蝕檢測方法，其特征在于，包括：

提供前端結構；

在所述前端結構上形成第一金屬層；

在所述第一金屬層上形成層間介質層；

刻蝕所述層間介質層形成凹槽；

在所述凹槽中形成第二金屬層，所述第一金屬層和所述第二金屬層在層疊方向具有重疊的拐角；

自所述第一金屬層和所述第二金屬層引出測試端；以及

通過所述測試端測量所述第一金屬層和所述第二金屬層之間的擊穿電壓，以判斷所述凹槽的刻蝕是否異常。

7.如權利要求6所述的凹槽刻蝕檢測方法，其特征在于，所述前端結構具有一前端介質層；在所述前端結構上形成第一金屬層的步驟包括：

采用光刻刻蝕工藝在所述前端介質層中形成多個第一開口和連接相鄰第一開口的多個第一連接槽，所述多個第一開口呈陣列狀排布；

在所述多個第一開口和多個第一連接槽中形成第一金屬材料層；以及

平坦化所述第一金屬材料層與所述前端介質層齊平，獲得所述第一金屬層。

8.如權利要求7所述的凹槽刻蝕檢測方法，其特征在于，所述多個第一開口呈長方體。

9.如權利要求6所述的凹槽刻蝕檢測方法，其特征在于，采用氧等離子體刻蝕所述層間介質層形成凹槽。

10.如權利要求9所述的凹槽刻蝕檢測方法，其特征在于，所述凹槽包括多個第二開口和連接相鄰第二開口的多個第二連接槽，所述多個第二開口呈陣列狀排布。

11.如權利要求10所述的凹槽刻蝕檢測方法，其特征在于，所述多個第二開口呈長方體。

12.如權利要求6所述的凹槽刻蝕檢測方法，其特征在于，測量第一金屬層和第二金屬層之間的擊穿電壓，以判斷所述凹槽的刻蝕是否異常的步驟包括：

若所述擊穿電壓在標準擊穿電壓的許可范圍內，則判斷所述凹槽的刻蝕正常；

若所述擊穿電壓小于標準擊穿電壓的許可范圍的最小值，則判斷所述凹槽過刻蝕。