[發明專利]一種三維微結構的刻蝕方法及其應用

在審

• 申請號: 201710386495.X
• 申請日: 2017-05-26
• 公開（公告）號: CN107204288A
• 公開（公告）日: 2017-09-26
• 發明（設計）人: 劉侃;高易凡;張守坤;張南剛;李頌戰
• 申請（專利權）人: 武漢紡織大學
• 主分類號: H01L21/306
• 分類號: H01L21/306;B82Y30/00;B82Y40/00
• 代理公司: 武漢宇晨專利事務所42001
• 代理人: 董路,王敏鋒

1.一種三維微結構的刻蝕方法，其特征在于包括如下步驟：

將抑制刻蝕的微納米粒子的懸浮液涂覆在基片表面上，干燥處理，使微納米粒子沉積在基片表面上，再將基片用刻蝕液進行刻蝕，得到表面具有三維凹陷微結構的基片。

2.根據權利要求1所述的三維微結構的刻蝕方法，其特征在于：所述微納米粒子為TiO₂、SiO₂、ZnO、Al₂O₃、CaCO₃、MnO₂或CuO微納米粒子。

3.根據權利要求2所述的三維微結構的刻蝕方法，其特征在于：懸浮液中微納米粒子的質量百分比濃度為0.1～50％，微納米粒子呈球狀，微納米粒子的直徑為0.1～500μm，刻蝕速率為0.1～1000μm/min，刻蝕時間為1～1440min時，所得的三維凹陷微結構為呈圓錐狀的凹面，直徑為1～1000μm，深度為1～500μm，密度為1×10²～1.5×10⁶個/mm²。

4.根據權利要求3所述的三維微結構的刻蝕方法，其特征在于：所述的微納米粒子為TiO₂微納米粒子。

5.根據權利要求4所述的三維微結構的刻蝕方法，其特征在于：所述的基片為玻璃、硅或石英材料的光滑基片。

6.一種權利要求1所述的三維微結構在微流控芯片中的應用。