[發(fā)明專利]層疊型基板及其制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710382137.1
• 申請日: 2017-05-25
• 公開（公告）號: CN107437537A
• 公開（公告）日: 2017-12-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 中臣義德
• 申請（專利權(quán)）人: 京瓷株式會(huì)社
• 主分類號: H01L23/498
• 分類號: H01L23/498;H01L23/31;H01L25/16;H01L21/50
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司11021
• 代理人: 樸英淑

技術(shù)領(lǐng)域

本公開涉及層疊多個(gè)布線基板而成的層疊型基板及其制造方法。

背景技術(shù)

當(dāng)前，作為具有高功能的基板，例如開發(fā)了一種層疊型基板，其具有第一布線基板、連接在該第一布線基板的上表面的半導(dǎo)體元件、以覆蓋半導(dǎo)體元件那樣的狀態(tài)形成在第一布線基板上的密封樹脂層、以及經(jīng)由焊料與第一布線基板連接的第二布線基板(日本特表2009-520366號公報(bào))。

發(fā)明內(nèi)容

本公開中的層疊型基板具備部件搭載用基板、密封樹脂層、半導(dǎo)體元件、以及布線導(dǎo)體。部件搭載用基板具有部件的搭載面以及非搭載面。此外，連接焊盤位于各個(gè)面，并彼此電連接。密封樹脂層位于與非搭載面密接的位置。半導(dǎo)體元件具有形成有多個(gè)電極的電極形成面。半導(dǎo)體元件以電極形成面從位于非搭載面的相反側(cè)的密封樹脂層的面露出的狀態(tài)進(jìn)行埋設(shè)。絕緣層位于與位于非搭載面的相反側(cè)的密封樹脂層的面以及電極形成面密接的位置。密封樹脂層以及絕緣層具有貫通兩者并以連接焊盤作為底面的通孔。進(jìn)而，絕緣層具有以半導(dǎo)體元件的電極作為底面的過孔。布線導(dǎo)體位于絕緣層表面、通孔內(nèi)以及過孔內(nèi)。

本公開中的層疊型基板的制造方法包括：準(zhǔn)備半導(dǎo)體元件以及底板的工序，所述半導(dǎo)體元件具有形成有多個(gè)電極的電極形成面；將所述電極形成面朝向所述底板側(cè)而將所述半導(dǎo)體元件載置在所述底板上的工序；準(zhǔn)備部件搭載用基板的工序，所述部件搭載用基板具有部件的搭載面以及非搭載面，形成在每個(gè)面的連接焊盤彼此電連接；配置所述部件搭載用基板和載置了所述半導(dǎo)體元件的底板，使得所述底板上的半導(dǎo)體元件與所述非搭載面之間具有間隙且彼此對置，隨后在所述底板與所述部件搭載用基板的間隙填充密封用樹脂的工序；從所述半導(dǎo)體元件以及密封用樹脂分離所述底板，形成與所述部件搭載用基板的非搭載面密接地形成的密封樹脂層的工序；形成與所述電極形成面以及密封樹脂層的面密接的絕緣層的工序；形成貫通所述絕緣層以及密封樹脂層且以形成在所述非搭載面的所述連接焊盤作為底面的通孔，并形成貫通所述絕緣層且以所述電極作為底面的過孔的工序；以及在所述通孔內(nèi)和所述過孔內(nèi)、以及所述絕緣層表面形成布線導(dǎo)體的工序。

附圖說明

圖1是示出本公開涉及的層疊型基板的一個(gè)例子的概略剖視圖。

圖2A～圖2G是用于說明本公開涉及的層疊型基板的制造方法中的每個(gè)工序的實(shí)施方式例的概略剖視圖。

圖中，10：部件搭載用基板，12：絕緣層，11：密封樹脂層，13：布線導(dǎo)體，15：連接焊盤，18：通孔，19：過孔，A：層疊型基板，F(xiàn)：電極形成面，S：半導(dǎo)體元件，T：電極。

具體實(shí)施方式

首先，基于圖1對本公開涉及的層疊型基板的一個(gè)例子進(jìn)行說明。

如圖1所示，本公開涉及的層疊型基板A例如具有部件搭載用基板10、密封樹脂層11、半導(dǎo)體元件S、絕緣層12、以及布線導(dǎo)體13。

部件搭載用基板10例如具備絕緣板14和連接焊盤15，并具有部件的搭載面10a以及非搭載面10b。在搭載面10a搭載電子部件E。非搭載面10b與密封樹脂層11密接。

絕緣板14例如使玻璃布含浸環(huán)氧樹脂、雙馬來酰亞胺三嗪樹脂等熱固化性樹脂而成，并具有多個(gè)連接孔16。

連接焊盤15例如由銅等良導(dǎo)電性金屬構(gòu)成，并形成在搭載面10a以及非搭載面10b。在形成于搭載面10a的連接焊盤15，例如經(jīng)由接合線電連接電子部件E的電極。形成在兩面的連接焊盤15通過形成在連接孔16內(nèi)的連接導(dǎo)體17電連接。連接導(dǎo)體17例如由銅、導(dǎo)電性樹脂等形成。

密封樹脂層11例如由環(huán)氧樹脂、聚氨酯樹脂等熱固化性樹脂構(gòu)成。密封樹脂層11具有上表面以及平坦的下表面，并形成為上表面與部件搭載用基板10密接。

半導(dǎo)體元件S例如可舉出微處理器、半導(dǎo)體存儲(chǔ)器等，由硅、鍺構(gòu)成。半導(dǎo)體元件S具有形成有多個(gè)電極T的電極形成面F。

半導(dǎo)體元件S以電極形成面F在密封樹脂層11的平坦的下表面內(nèi)露出的狀態(tài)埋設(shè)于密封樹脂層11。

密封樹脂層11保護(hù)半導(dǎo)體元件S不受外部環(huán)境侵害。

絕緣層12例如由環(huán)氧樹脂、雙馬來酰亞胺三嗪樹脂等熱固化性樹脂構(gòu)成。絕緣層12形成為與電極形成面F以及密封樹脂層11的平坦的下表面密接。

在絕緣層12以及密封樹脂層11形成有連續(xù)地貫通兩者并且以形成在非搭載面10b的連接焊盤15作為底面的多個(gè)通孔18。

在絕緣層12形成有貫通絕緣層12并且以電極T作為底面的多個(gè)過孔19。

通孔18的直徑以及過孔19的直徑為大約10～100μm左右。