[發(fā)明專利]表膜構(gòu)件有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710379521.6 | 申請日: | 2017-05-25 |
| 公開(公告)號(hào): | CN107436534B | 公開(公告)日: | 2023-04-07 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 西村晃范 | 申請(專利權(quán))人: | 信越化學(xué)工業(yè)株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | G03F1/64 | 分類號(hào): | G03F1/64 |
| 代理公司: | 北京市隆安律師事務(wù)所 11323 | 代理人: | 權(quán)鮮枝;侯劍英 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 構(gòu)件 | ||
本發(fā)明的目的在于提供一種表膜構(gòu)件,在使表膜構(gòu)件框架與光掩模貼合時(shí),能減少從表膜構(gòu)件框架向光掩模傳遞的應(yīng)力,抑制光掩模的變形。本發(fā)明的表膜構(gòu)件包括框狀的表膜構(gòu)件框架和張?jiān)O(shè)于表膜構(gòu)件框架的上端面的表膜,其特征在于,在表膜構(gòu)件框架的與上端面相對的下端面,在其整周上設(shè)有包括凝膠狀物質(zhì)的密封材料層,并且在表膜構(gòu)件框架的下端面的一部分的多個(gè)部位設(shè)有粘合劑層。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及在制造半導(dǎo)體器件、印刷基板、液晶顯示器等時(shí)用于防污的表膜構(gòu)件(pellicle)。
背景技術(shù)
在LSI、超LSI等半導(dǎo)體的制造、液晶顯示器等的制造中,對半導(dǎo)體晶圓、液晶用原板照射光來形成圖案,但是如果此時(shí)所使用的光掩模或者中間掩模(以下僅記為光掩模)附著有污物,則會(huì)有如下問題:邊緣變粗糙,基底污黑等,導(dǎo)致尺寸、質(zhì)量、外觀受損。
因此,通常在無塵室中進(jìn)行這些作業(yè),但是即使如此也難以保證光掩模總是清潔,因此對光掩模表面貼附用于防污的表膜構(gòu)件之后進(jìn)行曝光。在這種情況下,異物不會(huì)直接附著于光掩模的表面,而是附著在表膜構(gòu)件上,因此在光刻時(shí)只要使焦點(diǎn)對準(zhǔn)到光掩模的圖案上即可,表膜構(gòu)件上的異物與轉(zhuǎn)印無關(guān)。
一般,表膜構(gòu)件是將透光性良好的包括硝化纖維、醋酸纖維或者氟樹脂等的透明表膜在對包括鋁、不銹鋼、聚乙烯等的表膜構(gòu)件框架的上端面涂敷表膜的良溶劑后進(jìn)行風(fēng)干而將其粘接(參照專利文獻(xiàn)1),或者用丙烯酸樹脂、環(huán)氧樹脂等粘接劑將透明表膜粘接(參照專利文獻(xiàn)2和專利文獻(xiàn)3)。而且,表膜構(gòu)件框架的下端包括:粘合層,其用于粘接到光掩模,包括聚丁烯樹脂、聚醋酸乙烯樹脂、丙烯酸樹脂、有機(jī)硅樹脂等;以及用于保護(hù)粘合層的脫模層(分離層)。
然后,將這種表膜構(gòu)件裝配到光掩模的表面,通過光掩模對形成于半導(dǎo)體晶圓、液晶用原板的光致抗蝕劑膜進(jìn)行曝光時(shí),污物等異物附著于表膜構(gòu)件的表面而不直接附著于光掩模的表面,因此只要使焦點(diǎn)位于形成于光掩模的圖案上來照射曝光用的光,就能避免污物等異物的影響。
然而,近年來,半導(dǎo)體器件和液晶顯示器越來越高集成化、微細(xì)化。當(dāng)前,將32nm程度的微細(xì)圖案形成于光致抗蝕劑膜的技術(shù)也已投入實(shí)用。如果是32nm程度的圖案,則能通過在半導(dǎo)體晶圓或液晶用原板與投影透鏡之間充滿超純水等液體,利用氟化氬(ArF)準(zhǔn)分子激光對光致抗蝕劑膜進(jìn)行曝光的液浸曝光技術(shù)、多重曝光等使用現(xiàn)有的準(zhǔn)分子激光的改進(jìn)技術(shù)來應(yīng)對。
但是,下一代的半導(dǎo)體器件、液晶顯示器要求形成進(jìn)一步微細(xì)化的圖案,使用如以往那樣的表膜構(gòu)件和曝光技術(shù)已難以形成更微細(xì)的圖案。
因此,近年來,作為用于形成更微細(xì)的圖案的方法,使用以13.5nm為主波長的EUV光的EUV曝光技術(shù)受到關(guān)注。
專利文獻(xiàn)1:特開昭58-219023號(hào)公報(bào)
專利文獻(xiàn)2:美國專利第4861402號(hào)
專利文獻(xiàn)3:特公昭63-27707號(hào)公報(bào)
發(fā)明內(nèi)容
此外,隨著半導(dǎo)體器件、液晶顯示器的微細(xì)化的發(fā)展,關(guān)系到成品率的表膜構(gòu)件會(huì)在將表膜構(gòu)件貼附于光掩模時(shí)由于其應(yīng)力而使光掩模變形(PID;Pellicle?InducedDistortion:表膜構(gòu)件引起的變形),結(jié)果是形成的圖案的位置精度出現(xiàn)偏差,因此難以形成微細(xì)圖案成為大問題。
在通常的表膜構(gòu)件中,在表膜構(gòu)件框架的下端面在整周上設(shè)有粘合劑層,在將表膜構(gòu)件貼附于光掩模時(shí),光掩模會(huì)從表膜構(gòu)件框架的整個(gè)一個(gè)端面受到應(yīng)力,產(chǎn)生由于該應(yīng)力導(dǎo)致光掩模變形的問題。如果由于從表膜構(gòu)件框架受到的應(yīng)力導(dǎo)致光掩模變形,則根據(jù)變形的程度而有時(shí)難以形成目標(biāo)微細(xì)圖案。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導(dǎo)體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設(shè)備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學(xué)臨近校正(OPC)設(shè)計(jì)工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準(zhǔn)或測試的特殊涂層或標(biāo)記;其制備





