[發(fā)明專利]一種減少下電極損傷的腔體清洗方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710379434.0 | 申請(qǐng)日： | 2017-05-25 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN107393801A | 公開(kāi)（公告）日： | 2017-11-24 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 康斯坦丁·莫吉利尼科夫 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 魯汶儀器有限公司（比利時(shí)） |
| 主分類號(hào)： | H01J37/32 | 分類號(hào)： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京得信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11511 | 代理人： | 袁偉東 |
| 地址： | 比利時(shí)魯*** | 國(guó)省代碼： | 暫無(wú)信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 減少 電極 損傷 清洗 方法 | ||
1.一種減少下電極損傷的腔體清洗方法，其特征在于，
包括以下步驟：
犧牲層形成步驟，通過(guò)位于下電極附近的下部噴口通入反應(yīng)氣體，對(duì)下電極表面進(jìn)行薄膜沉積，作為保護(hù)下電極的犧牲層；以及
干法清洗步驟，通過(guò)腔體上部噴口通入反應(yīng)氣體對(duì)腔體進(jìn)行等離子清洗。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的減少下電極損傷的腔體清洗方法，其特征在于，
所述下部噴口位于頂針上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的減少下電極損傷的腔體清洗方法，其特征在于，
所述犧牲層的厚度根據(jù)在所述干清洗步驟中所需消耗的厚度設(shè)定。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的減少下電極損傷的腔體清洗方法，其特征在于，
所述犧牲層的厚度為10nm～100nm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1～4中任一項(xiàng)所述的減少下電極損傷的腔體清洗方法，其特征在于，
所述犧牲層為SiO2、CxFy、SixNy、或其組合。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的減少下電極損傷的腔體清洗方法，其特征在于，
在所述犧牲層形成步驟中，開(kāi)啟下電極功率。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的減少下電極損傷的腔體清洗方法，其特征在于，
所述下電極功率為50W～500W。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的減少下電極損傷的腔體清洗方法，其特征在于，
在所述干法清洗步驟中，開(kāi)啟上電極功率，并將電極功率保持在低位。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的減少下電極損傷的腔體清洗方法，其特征在于，
所述上電極功率為100W～800W，所述下電極功率為0W～50W。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的減少下電極損傷的腔體清洗方法，其特征在于，
還包括吹掃步驟，在所述干法清洗步驟后立即通過(guò)下部噴口向腔體內(nèi)通入氮?dú)饣蚨栊詺怏w。
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