[發(fā)明專利]平面型氨選擇性感測電極及其制法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710377336.3 | 申請日: | 2017-05-25 |
| 公開(公告)號: | CN107957440B | 公開(公告)日: | 2020-06-26 |
| 發(fā)明(設計)人: | 陳冠榮;葛士豪;曾智勇;于小涵 | 申請(專利權)人: | 英屬開曼群島商通潤股份有限公司 |
| 主分類號: | G01N27/333 | 分類號: | G01N27/333 |
| 代理公司: | 隆天知識產權代理有限公司 72003 | 代理人: | 李昕巍;章侃銥 |
| 地址: | 開曼群島*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 平面 選擇 性感 電極 及其 制法 | ||
1.一種平面型氨選擇性感測電極,包括:
一電絕緣基板,具有至少一平面;
一導電層,設置于該電絕緣基板的該至少一平面之上,其中該導電層具有至少一第一導電部及至少一第二導電部,該第一導電部及該第二導電部彼此絕緣隔離,且分別組配有一第一反應區(qū)及一第二反應區(qū);
一銨離子感測層,設置于該第一反應區(qū)之上;
一氫氧根離子感測層,設置于該第二反應區(qū)之上;以及
一電解質層,設置且覆蓋于該銨離子感測層及該氫氧根離子感測層之上。
2.如權利要求1所述的平面型氨選擇性感測電極,還包含一絕緣防水層,設置于該導電層之上,部分覆蓋該第一導電部及該第二導電部,且使該第一導電部及該第二導電部分別組配構成該第一反應區(qū)及該第二反應區(qū)。
3.如權利要求1所述的平面型氨選擇性感測電極,還包含一中隔片,設置于該電絕緣基板的該至少一平面上,其中該中隔片具有一開口,該中隔片設置于該銨離子感測層以及該氫氧根離子感測層的外圍,且該電解質層容置于該開口的內周面內。
4.如權利要求3所述的平面型氨選擇性感測電極,還包含一氣體透氣層,設置且覆蓋于該電解質層之上,且與該中隔片貼合,從而使該電解質層保持于該氣體透氣層與該銨離子感測層及該氫氧根離子感測層之間。
5.如權利要求1所述的平面型氨選擇性感測電極,其中氫氧根離子感測層為一酸堿度感測層。
6.一種平面型氨選擇性感測電極的制法,包括步驟:
步驟a:提供一電絕緣基板具有至少一平面,并于該電絕緣基板的該至少一平面上形成一導電層,其中該導電層具有至少一第一導電部及至少一第二導電部,該第一導電部及該第二導電部彼此絕緣隔離,且分別組配有一第一反應區(qū)及一第二反應區(qū);
步驟b:分別形成一銨離子感測層及一氫氧根離子感測層覆蓋于該第一反應區(qū)之上與該第二反應區(qū)之上;以及
步驟c:形成一電解質層,覆蓋于該銨離子感測層及該氫氧根離子感測層之上。
7.如權利要求6所述的平面型氨選擇性感測電極的制法,其中該步驟b還包括:
步驟b1:形成一絕緣防水層于該導電層之上,部分覆蓋該第一導電部及該第二導電部,且使該第一導電部及該第二導電部分別組配構成該第一反應區(qū)及該第二反應區(qū)。
8.如權利要求6所述的平面型氨選擇性感測電極的制法,其中該步驟c還包括:
步驟c1:提供一中隔片具有一開口,且將該中隔片貼合至該電絕緣基板的該至少一平面,使該中隔片設置于該銨離子感測層以及該氫氧根離子感測層的外圍,且該電解質層容置于該開口的內周面內。
9.如權利要求8所述的平面型氨選擇性感測電極的制法,還包括:
步驟d:形成一氣體透氣層于該電解質層之上,并與該中隔片貼合,使該電解質層保持于該中隔片的該開口的內周面內。
10.如權利要求6所述的平面型氨選擇性感測電極的制法,其中氫氧根離子感測層為一酸堿度感測層。
11.如權利要求6所述的平面型氨選擇性感測電極的制法,其中該步驟b中的該銨離子感測層以及該氫氧根離子感測層是通過液滴涂覆法、濺鍍法、電沉積法或是網印厚膜技術形成。
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