[發明專利]半導體器件有效

申請號：	201710375328.5	申請日：	2017-05-24
公開（公告）號：	CN108933134B	公開（公告）日：	2020-09-25
發明（設計）人：	張金;魏洋;姜開利;范守善	申請（專利權）人：	清華大學;鴻富錦精密工業（深圳）有限公司
主分類號：	H01L27/092	分類號：	H01L27/092
代理公司：	暫無信息	代理人：	暫無信息
地址：	100084 北京市海淀區清***	國省代碼：	北京;11
權利要求書：	查看更多	說明書：	查看更多
摘要：
搜索關鍵詞：	半導體器件
鉆瓜網技術展會專利詞庫專利權人專利榜在售專利公布日期熱門專利

【說明書】：

一半導體器件，該半導體器件包括：一柵極及一絕緣層，所述絕緣層設置于柵極的表面；一第一碳納米管及一第二碳納米管，所述第一碳納米管和第二碳納米管間隔設置于絕緣層的表面；一P型半導體層及一N型半導體層，所述P型半導體層覆蓋第一碳納米管，并設置于絕緣層的表面，所述N型半導體層覆蓋第二碳納米管，并設置于絕緣層的表面；一導電膜，所述導電膜設置于P型半導體層和N型半導體層的表面，其中，P型半導體層位于導電膜和第一碳納米管之間，N型半導體層位于導電膜和第二碳納米管之間。

技術領域

本發明涉及一種半導體器件。

背景技術

近年來，范德華異質結是最近兩年的新興研究領域。范德華異質結通過將具有不同性質(電學以及光學等)的二維材料堆到一起，可以實現對組合而成的“新”材料的性質進行人工調控；由于層間弱的范德華作用力，相鄰的層間不再受晶格必須相匹配的限制；并且，由于沒有成分過渡，所形成的異質結具有原子級陡峭的載流子(勢場)梯度；由于以過渡金屬雙硫族化物為代表的非石墨烯二維層狀材料通常可以形成二類能帶關系，因此以它們為基礎搭建的異質結具有非常強的載流子分離能力；此外，由于超薄的厚度以及特殊的二維結構，使其具有強的柵極響應能力，以及與傳統微電子加工工藝和柔性基底相兼容的特性。

發明內容

本發明提供了新型的含有范德華異質結的半導體器件。

一半導體器件，該半導體器件包括：一柵極，該柵極為一層狀結構；一絕緣層，所述絕緣層設置于柵極的表面；一第一碳納米管及一第二碳納米管，所述第一碳納米管和第二碳納米管間隔設置于絕緣層的表面；一P型半導體層及一N型半導體層，所述P型半導體層覆蓋第一碳納米管，并設置于絕緣層的表面，所述N型半導體層覆蓋第二碳納米管，并設置于絕緣層的表面；一導電膜，所述導電膜設置于P型半導體層和N型半導體層的表面，其中，P型半導體層位于導電膜和第一碳納米管之間，N型半導體層位于導電膜和第二碳納米管之間；一第一電極，該第一電極與第一碳納米管電連接；一第二電極，該第二電極與第二碳納米管電連接；以及一第三電極，該第三電極與導電膜電連接。

相較于現有技術，本發明提供了一種新型的半導體器件，該半導體器件在未來的納米電子學和納米光電子學領域具有巨大的應用潛力。

附圖說明

圖1為本發明實施例提供的半導體器件的立體結構示意圖。

圖2為本發明實施例提供的半導體器件的側視示意圖。

圖3為本發明實施例提供的半導體器件在用CMOS工作時的特征曲線圖。

主要元件符號說明

半導體器件 100

柵極 102

絕緣層 104

第一碳納米管 106

第二碳納米管 108

P型半導體層 110