[發明專利]一種充電接頭、電子設備及充電接頭強化方法

有效

• 申請號: 201710372202.2
• 申請日: 2017-05-23
• 公開（公告）號: CN107313007B
• 公開（公告）日: 2019-02-05
• 發明（設計）人: 林育周
• 申請（專利權）人: 林育周
• 主分類號: C23C8/38
• 分類號: C23C8/38;C23C8/26;C22C14/00;C23C14/16;C23C14/32;C23C28/00
• 代理公司: 廣州新諾專利商標事務所有限公司 44100
• 代理人: 許勇

1.一種充電接頭強化方法，所述充電接頭采用雙相不銹鋼材料制成，其特征在于，包括如下步驟：

S1、在溫度為400℃～460℃的真空條件下，通過離子氮化工藝在充電接頭表面生成離子氮化層；

S2、在溫度為440℃～460℃的真空條件下，采用滲金屬工藝在所述離子氮化層表面生成Ti-Mo-Nb-Nd-N復合滲層；

S3、在溫度為180℃～200℃的真空條件下，利用離子鍍工藝在所述Ti-Mo-Nb-Nd-N復合滲層表面制備Ni膜層；

S4、通過電鍍金工藝在所述Ni膜層表面制備電鍍金層。

2.如權利要求1所述的充電接頭強化方法，其特征在于，所述步驟S2中的所述滲金屬工藝的條件包括：

以Ti-Mo-Nb-Nd-N復合材料為標靶材料，以N₂氣體為離子氮化材料，以雙陰極直流脈沖雙電源作為電源；其中，真空爐的爐壁接地，所述雙陰極直流脈沖雙電源的一陰極電源接所述標靶材料，另一陰極電源與經步驟S1處理后的充電接頭連接，所述雙陰極直流脈沖雙電源的一陰極電源的工作電壓為700V～800V、頻率為1000Hz，所述另一陰極電源的工作電壓為500V～600V、頻率為1000Hz。

3.如權利要求2所述的充電接頭強化方法，其特征在于，所述Ti-Mo-Nb-Nd-N復合材料中各組分所占重量百分比為：Ti為79％～89％，Mo為10％～20％，Nb為0.4％～0.6％，Nd為0.4％～0.6％。

4.如權利要求1所述的充電接頭強化方法，其特征在于，所述步驟S3中的所述離子鍍工藝的條件包括：

鍍膜電壓為800V～1000V、真空度為0.35Pa～0.51Pa。

5.如權利要求1所述的充電接頭強化方法，其特征在于，所述步驟S1按照包括如下操作的方法進行：

將充電接頭置于真空爐內；

將所述真空爐的真空度抽到10^-2Pa～10^-1Pa后，注入Ar氣；

待真空爐內的溫度達到200℃時，向所述真空爐內注入H₂氣；

控制所述真空爐內的真空度為30Pa～60Pa；

待所述真空爐內的溫度達到400℃時，注入N₂氣體，并保溫，以在所述充電接頭的表面生成離子氮化層。

6.如權利要求1所述充電接頭強化方法，其特征在于，所述離子氮化層的厚度為30um～40um、硬度為700Hv～900Hv，所述Ti-Mo-Nb-Nd-N復合滲層的厚度為8um～15um、硬度為1200Hv～1600Hv。

7.一種充電接頭，其特征在于，采用如權利要求1～6中任一項所述的充電接頭強化方法制成。

8.一種電子設備，其特征在于，設有如權利要求7所述的充電接頭。

9.一種充電接頭，其特征在于，所述充電接頭采用雙相不銹鋼材料制成，在所述充電接頭的表面依次生成有離子氮化層和Ti-Mo-Nb-Nd-N復合滲層，在所述Ti-Mo-Nb-Nd-N復合滲層表面依次制備有Ni膜層和電鍍金層。

10.如權利要求9所述的充電接頭，其特征在于，所述離子氮化層的厚度為30um～40um、硬度為700Hv～900Hv，所述Ti-Mo-Nb-Nd-N復合滲層的厚度為8um～15um、硬度為1200Hv～1600Hv。

11.如權利要求10所述的充電接頭，其特征在于，所述Ti-Mo-Nb-Nd-N復合滲層中各組分所占重量百分比為：Ti為79％～89％，Mo為10％～20％，Nb為0.4％～0.6％，Nd為0.4％～0.6％。

12.一種電子設備，其特征在于，設有如權利要求9～11中任一項所述的充電接頭。