[發明專利]一種基于斜波的QLED驅動方法

有效

• 申請號: 201710370278.1
• 申請日: 2017-05-23
• 公開（公告）號: CN108934098B
• 公開（公告）日: 2021-08-10
• 發明（設計）人: 向超宇;李樂;錢磊;楊一行;曹蔚然
• 申請（專利權）人: TCL科技集團股份有限公司
• 主分類號: H05B45/30
• 分類號: H05B45/30
• 代理公司: 深圳市君勝知識產權代理事務所(普通合伙) 44268
• 代理人: 王永文;劉文求

本發明公開了一種基于斜波的QLED驅動方法，所述QLED包括自下而上設置的底電極、空穴注入層、空穴傳輸層、量子點發光層、電子傳輸層以及頂電極，在所述底電極和頂電極之間設置有一驅動電路，在QLED不工作時，通過所述驅動電路輸出反向驅動信號，所述反向驅動信號的波形為斜波。通過添加斜波形的反向電流或反向電壓，改變了QLED缺陷勢阱的勢壘，消除限制和/或聚集于勢阱中的電荷，減小限制電荷的密度，從而進一步達到增加QLED器件壽命的目的。

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，特別涉及一種基于斜波的QLED驅動方法。

背景技術

量子點發光二極管 (QLED) 作為一種新興的高效電致發光器件，近年來受到了廣泛的關注。QLED 的工作原理與有機發光二極管 (OLED) 非常接近，都是外電路通過正負兩個電極分別向器件內注入電子和空穴，注入的載流子通過載流子注入層和傳輸層到達發光層復合發光。不同的是，在 OLED中，發光層主要采用具有共軛結構的有機分子，盡管這類材料有著良好的發光特性，但是穩定性欠佳。而在QLED中，發光層由無機量子點材料來擔當，相比于共軛有機分子材料，無機量子點具有更強的化學穩定性，因此，用其制備的發光器件具有更長的使用壽命。除此之外，QLED的電致發光光譜具有更窄的半高寬，它在色純度上要優于OLED。鑒于 QLED具有上述優異性能，其市場前景十分可觀。

然而，QLED的壽命一直是制約其廣泛應用的瓶頸，實際應用中發現除了對材料、器件、制備工藝的優化以外，驅動QLED也是一種可以減緩QLED光強衰減，增強QLED使用壽命的方法。QLED是一般需要空穴傳輸層、量子點發光層、電子傳輸層構成。由于每層的能級不同，因此存在能級差，在QLED的工作中，電荷會聚集在有能級差的界面，特別是與量子點發光層接觸的界面，導致量子點的發光特性受到極大影響，進一步降低了發光光強。另一方面，在每種材料內部，例如量子點的表面，傳輸層材料分子之間都存在大量的缺陷，這些缺陷也是限制載流子的原因。隨著QLED的工作時間增加，越來越多的電荷限制到缺陷中，極大的降低發光光強。

因而現有技術還有待改進和提高。

發明內容

鑒于上述現有技術的不足之處，本發明的目的在于提供一種基于斜波的QLED驅動方法，可達到消除限制和/或聚集于勢阱中的電荷，減小限制電荷的密度，增加QLED器件壽命的目的。

為了達到上述目的，本發明采取了以下技術方案：

一種基于斜波的QLED驅動方法，所述QLED包括自下而上設置的底電極、空穴注入層、空穴傳輸層、量子點發光層、電子傳輸層以及頂電極，在所述底電極和頂電極之間設置有一驅動電路，在QLED不工作時，通過所述驅動電路反向驅動信號，所述反向驅動信號的波形為斜波。

所述的基于斜波的QLED驅動方法中，正向驅動信號為任意波形的電壓或電流。

所述的基于斜波的QLED驅動方法中，所述反向驅動信號為反向電壓，所述反向電壓小于QLED的擊穿電壓。

具體的，所述反向電壓的時間占周期的百分比為1%-99%，所述反向電壓的頻率不小于60HZ，所述反向電壓的幅度為-0.1V~-10V。

所述的基于斜波的QLED驅動方法中，所述反向驅動信號為反向電流，所述反向電流小于QLED的擊穿電流。

具體的，所述反向電流的時間占周期的百分比為1%-99%，所述反向電流的頻率不小于60HZ，所述反向電流的幅度為-0.0001Am/cm^-2~-1Am/cm^-2。

所述的基于斜波的QLED驅動方法中，所述反向驅動信號為交替出現的第一斜波反向驅動信號和第二斜波反向驅動信號，所述第一斜波反向驅動信號或所述第二斜波反向驅動信號為反向電流驅動信號或反向電壓驅動信號中的一種。