[發明專利]OLED器件制造方法、OLED器件及顯示面板有效
| 申請號: | 201710358717.7 | 申請日: | 2017-05-19 |
| 公開(公告)號: | CN107104129B | 公開(公告)日: | 2021-01-26 |
| 發明(設計)人: | 王丹;李娜 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京律智知識產權代理有限公司 11438 | 代理人: | 王輝;闞梓瑄 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | oled 器件 制造 方法 顯示 面板 | ||
1.一種OLED器件制造方法,其特征在于,包括:
在襯底上形成第一電極層;
在所述第一電極層上形成像素界定層,所述像素界定層具有與各個子像素單元的發光區域一一對應的多個開口;
對所述像素界定層遠離所述第一電極層的表面進行粗糙化處理;
形成覆蓋所述像素界定層和所述開口的空穴注入層,其中,根據空穴注入層的厚度對所述像素界定層遠離所述第一電極層的表面進行粗糙化處理,使所述像素界定層具有能夠阻止所述空穴注入層的載流子的定向傳輸的表面粗糙度;以及
在所述空穴注入層對應于所述開口的區域依次形成空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層以及第二電極層。
2.根據權利要求1所述的OLED器件制造方法,其特征在于,對所述像素界定層遠離所述第一電極層的表面進行粗糙化處理包括:
通過灰化處理、等離子體處理或者濺射薄層金屬處理來對所述像素界定層遠離所述第一電極層的表面進行粗糙化處理。
3.根據權利要求2所述的OLED器件制造方法,其特征在于,通過灰化處理對所述像素界定層進行表面處理包括:
通過光致刻蝕劑對與所述開口對應的所述第一電極進行保護;
通過灰化處理對所述像素界定層進行表面處理;以及
在所述灰化處理完成之后除去所述光致刻蝕劑。
4.根據權利要求1所述的OLED器件制造方法,其特征在于,所述第一電極層為氧化銦錫/銀/氧化銦錫復合層。
5.一種OLED器件,其特征在于,包括:
襯底;
第一電極層,設置在所述襯底上;
像素界定層,設置在所述第一電極層上,所述像素界定層具有與各個子像素單元的發光區域一一對應的多個開口,并且所述像素界定層遠離所述第一電極層的表面具有預定表面粗糙度;
空穴注入層,設置在所述像素界定層和所述開口上,其中,根據空穴注入層的厚度對所述像素界定層遠離所述第一電極層的表面形成所述預定表面粗糙度,使所述像素界定層具有能夠阻止所述空穴注入層的載流子的定向傳輸的表面粗糙度;以及
依次設置在所述空穴注入層上對應于所述開口的區域的空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層以及第二電極層。
6.根據權利要求5所述的OLED器件,其特征在于,所述空穴注入層的厚度的大小范圍為50nm至100nm,以及所述像素界定層的所述預定表面粗糙度的大小范圍為50nm至100nm。
7.根據權利要求5所述的OLED器件,其特征在于,所述第一電極層為氧化銦錫/銀/氧化銦錫復合層。
8.一種顯示面板,其特征在于,包括根據權利要求5至7中任一項所述的OLED器件。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





