[發明專利]一種光偵測薄膜、器件、顯示裝置、光敏二極管的制備方法

有效

• 申請號: 201710348713.0
• 申請日: 2017-05-17
• 公開（公告）號: CN108963015B
• 公開（公告）日: 2021-12-10
• 發明（設計）人: 黃建東
• 申請（專利權）人: 上海耕巖智能科技有限公司
• 主分類號: H01L31/028
• 分類號: H01L31/028;H01L31/036;H01L31/0376;H01L33/00
• 代理公司: 福州市景弘專利代理事務所(普通合伙) 35219
• 代理人: 林祥翔;呂元輝

1.一種光偵測顯示裝置，其特征在于，所述顯示裝置包括顯示單元，所述顯示單元上設置有光偵測感應區，所述光偵測感應區下方設置有光偵測器件或者光偵測器件與顯示屏的有源陣列薄膜晶體管層集成在一起；

所述光偵測器件包括多個像素偵測區，每一像素偵測區對應設置有由一個以上薄膜電晶管所組成一組掃描驅動與傳輸數據的像素薄膜電路、以及一光偵測薄膜；所述光偵測器件用于實現光偵測功能；

所述光偵測感應區包括至少兩個光偵測感應子區域，每一光偵測感應子區域的下方對應設置一光偵測器件；所述顯示裝置還包括光偵測器件電路，所述光偵測器件控制電路用于在接收啟動信號時，控制至少兩個光偵測感應子區域中的其中一個光偵測器件開啟，或用于在接收到關閉信號時，控制至少兩個光偵測感應子區域的另一個光偵測器件關閉。

2.如權利要求1所述的光偵測顯示裝置，其特征在于，

所述光偵測薄膜包括光偵測二極管區域，所述光偵測二極管區域包括光敏二極管，其特征在于，所述光敏二極管包括第一光敏薄膜層和第二光敏薄膜層；所述第一光敏薄膜層包括第一p型半導體層、第一i型半導體層、第一n型半導體層，所述第一p型半導體層、第一i型半導體層、第一n型半導體層從上至下依次堆疊設置；所述第二光敏薄膜層包括第二p型半導體層、第二i型半導體層、第二n型半導體層；所述第二p型半導體層、第二i型半導體層、第二n型半導體層從上至下依次堆疊設置；所述第一光敏薄膜層和第二光敏薄膜層上下堆疊設置，所述第一n型半導體層設置于第二p型半導體層的上方；所述第一i型半導體層為非晶硅結構，所述第二i型半導體層為微晶硅結構或非結晶硅化鍺結構。

3.如權利要求2所述的光偵測顯示裝置，其特征在于，所述非晶硅結構為硅烷與氫氣通過化學氣相沉積成膜的半導體層，非晶硅結構的結晶度小于40%，且其禁帶寬度1.7 eV～1.8eV。

4.如權利要求2所述的光偵測顯示裝置，其特征在于，所述微晶硅結構為硅烷與氫氣通過化學氣相沉積成膜的半導體層，微晶硅的結構的結晶度大于40%，且其禁帶寬度小于1.7eV。

5.如權利要求2所述的光偵測顯示裝置，其特征在于，所述非結晶硅化鍺結構為硅烷、氫氣與鍺烷通過化學氣相沉積成膜的非結晶半導體層，且其禁帶寬度小于1.7 eV。

6.如權利要求2所述的光偵測顯示裝置，其特征在于，所述第一p型半導體層的上端面設置有第一光學器件，所述第一光學器件用于降低光線在第一p型半導體層的上端面的反射率、或是減小光線在第一p型半導體層的折射角度以增加光入射量。

7.如權利要求6所述的光偵測顯示裝置，其特征在于，所述第一光學器件包括折射率呈周期性變化的光子晶體結構或微透鏡陣列結構、或是折射率呈非周期性變化的漫散射結構，且所述第一光學器件的折射率小于第一p型半導體層的折射率。

8.如權利要求2所述的光偵測顯示裝置，其特征在于，所述第一n型半導體層的下端面或第二n型半導體層的下端面還設置有第二光學器件，所述第二光學器件用于提高光線在第一n型半導體層的上端面或第二n型半導體層的上端面的反射率、或是用于提高光線在第一n型半導體層的下端面以及第二n型半導體層的上端面之間的多重反射率。

9.如權利要求8所述的光偵測顯示裝置，其特征在于，所述第二光學器件包括折射率呈周期性變化的光子晶體結構、或是折射率呈非周期性變化的漫散射結構，且所述第二光學器件之材料折射率皆小于第一n型半導體層或第二n型半導體層的折射率。

10.如權利要求6至9項中任一項所述的光偵測顯示裝置，其特征在于，所述第一光學器件或第二光學器件是采用化學汽相沉積或濺射鍍膜方式將氧化物及其衍生化合物或氮化物及其衍生化合物制備成膜。