[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置及制造其的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710342553.9
• 申請日: 2017-05-16
• 公開（公告）號: CN107946257B
• 公開（公告）日: 2019-10-29
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 林員梃;王啟宇;賴威宏;高金利
• 申請（專利權(quán)）人: 日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L23/498;H01L23/538;H01L21/56
• 代理公司: 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 蕭輔寬

1.一種半導(dǎo)體裝置，其包括：

第一裸片，其具有第一表面及與所述第一表面相對的第二表面，所述第一裸片包括經(jīng)安置成毗鄰于所述第一裸片的所述第一表面的至少一個第一墊；

第二裸片，其具有第一表面及與所述第一表面相對的第二表面，所述第二裸片包括經(jīng)安置成毗鄰于所述第二裸片的所述第一表面的至少一個第二墊；

第一介電層，其經(jīng)安置在所述第一裸片的所述第一表面的至少一部分及所述第二裸片的所述第一表面的至少一部分上；

至少一個第一跡線，其經(jīng)安置在所述第一介電層上且將所述第一墊連接到所述第二墊；及

經(jīng)安置在所述第一介電層上毗鄰于所述第一跡線的至少一個擬跡線；

其中所述第一跡線包括毗鄰于所述第一墊的端部分及主體部分且所述端部分以相對于所述主體部分的延伸方向的角度θ₁延伸。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述角度θ₁介于從15°到165°的范圍內(nèi)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述端部分比所述主體部分寬。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述第一介電層界定暴露所述第一墊的至少一個開口及暴露所述第二墊的至少一個開口，且其中所述第一跡線的所述端部分從所述第一跡線的所述主體部分延伸到所述第一墊或所述第二墊。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述第一介電層界定暴露所述第一墊的至少一個開口及暴露所述第二墊的至少一個開口，且其中所述第一介電層延伸超過所述第一裸片的所述第一墊及所述第二裸片的所述第二墊。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述擬跡線經(jīng)安置在所述第一跡線上方。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述擬跡線經(jīng)安置在所述第一跡線下方。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述擬跡線與所述第一跡線經(jīng)安置在相同的平面上。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述至少一個擬跡線包括經(jīng)安置成毗鄰于所述第一跡線的兩個擬跡線。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體裝置，其進一步包括將所述擬跡線彼此連接的連接部分。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述連接部分為通孔。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述第一跡線的所述主體部分進一步包括在所述第一裸片與所述第二裸片之間的彎曲部分。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其進一步包括經(jīng)安置在所述第一跡線上方的第二介電層及經(jīng)安置在所述第二介電層上方的金屬層。

14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其進一步包括經(jīng)安置在所述第一跡線上方的第二介電層及經(jīng)安置在所述第二介電層上方的至少一個第二跡線，其中所述第二跡線經(jīng)安置成正交于所述第一跡線。

15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其進一步包括經(jīng)安置在所述第一跡線上方的第二介電層及經(jīng)安置在所述第二介電層上方的第二跡線，其中所述第二跡線具有呈三角形波形的部分。

16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其進一步包括經(jīng)安置在所述第一跡線上方的第二介電層及經(jīng)安置在所述第二介電層上方的第二跡線，其中所述第二跡線具有呈正方形波形的部分。