[發明專利]放大電路、低噪聲放大器、用于進行放大的裝置和方法

有效

• 申請號: 201710342302.0
• 申請日: 2017-05-12
• 公開（公告）號: CN107493078B
• 公開（公告）日: 2023-03-31
• 發明（設計）人: 阿什坎·納伊尼;羅伯特·科斯塔克;赫伯特·施托金格
• 申請（專利權）人: 蘋果公司
• 主分類號: H03F1/26
• 分類號: H03F1/26;H03F3/193;H03F3/30;H03F3/45;H03F3/68
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 王茂華

1.一種用于對無線電信號進行放大的放大電路，包括：

第一放大級，所述第一放大級被配置為對在第一節點處接收的輸入信號進行放大以獲得中間信號；

級聯電路，所述級聯電路被配置為對所述中間信號進行放大以獲得在第二節點處提供的第一輸出信號；

第二放大級，所述第二放大級被配置為對所述中間信號進行放大以獲得第二輸出信號；以及

反饋電路，將所述第二節點耦合到所述第一節點以對所述放大電路的輸入阻抗進行設置，

其中所述第一輸出信號和所述第二輸出信號形成所述放大電路的差分輸出。

2.如權利要求1所述的放大電路，其中，所述第一放大級和所述第二放大級中的一個是反相放大級，而另一個是非反相放大級。

3.如權利要求1所述的放大電路，其中，所述第一放大級包括與所述級聯電路級聯的推挽級。

4.如權利要求1所述的放大電路，其中，所述第一放大級包括與所述級聯電路級聯的第一推挽級，并且其中所述第二放大級包括被配置為對所述中間信號進行放大的第二推挽級。

5.如權利要求1所述的放大電路，其中，所述第一放大級包括以推挽布置耦合的至少兩個晶體管，并且其中所述級聯電路包括以推挽布置耦合在所述第一放大級的所述至少兩個晶體管之間的至少兩個晶體管。

6.如權利要求5所述的放大電路，其中，所述第一放大級的所述至少兩個晶體管是具有不同溝道類型的兩個金屬氧化物半導體場效應晶體管MOSFET。

7.如權利要求5所述的放大電路，其中，所述級聯電路的所述至少兩個晶體管是具有不同溝道類型的兩個MOSFET。

8.如權利要求5所述的放大電路，其中，所述第一放大級的第一晶體管被耦合到參考電位或負電源電壓，并且其中所述第一放大級的第二晶體管被耦合到正電源電壓。

9.如權利要求8所述的放大電路，其中：

所述級聯電路的第一晶體管被耦合到所述第一放大級的所述第一晶體管；

所述級聯電路的所述第一晶體管被耦合到所述級聯電路的第二晶體管；并且

所述級聯電路的所述第二晶體管被耦合到所述第一放大級的所述第二晶體管。

10.如權利要求1到9中的一項所述的放大電路，其中，所述第二放大級包括具有至少兩個晶體管的推挽級。

11.如權利要求10所述的放大電路，其中，所述第二放大級的所述至少兩個晶體管是具有不同溝道型的兩個MOSFET。

12.如權利要求11所述的放大電路，其中，所述第二放大級的所述至少兩個晶體管以推挽布置彼此耦合，其中所述第二放大級的第一晶體管被耦合到負電源電壓或參考電位，并且其中所述第二放大級的第二晶體管被耦合到正電源電壓。

13.如權利要求9所述的放大電路，其中：

所述第二放大級包括具有兩個晶體管的推挽級；

所述第二放大級的所述兩個晶體管以推挽布置彼此耦合；

所述第二放大級的第一晶體管被耦合到負電源電壓或參考電位；

所述第二放大級的第二晶體管被耦合到正電源電壓；

所述第二放大級的所述第一晶體管被耦合到所述第一放大級的所述第一晶體管和所述級聯電路的所述第一晶體管；

所述第二放大級的所述第二晶體管被耦合到所述第一放大級的所述第二晶體管和所述級聯電路的所述第二晶體管。