[發明專利]用于制造半導體芯片的方法和半導體芯片

在審

• 申請號: 201710339165.5
• 申請日: 2017-05-15
• 公開（公告）號: CN107394581A
• 公開（公告）日: 2017-11-24
• 發明（設計）人: 克里斯托夫·艾希勒;安德烈·佐默斯;哈拉爾德·柯尼希;貝恩哈德·施托耶茨;安德烈亞斯·萊夫勒;艾爾弗雷德·萊爾
• 申請（專利權）人: 歐司朗光電半導體有限公司
• 主分類號: H01S5/22
• 分類號: H01S5/22;H01S5/30
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司11227
• 代理人: 丁永凡,李建航

1.一種用于制造半導體芯片(100)的方法，其中在用于生長第一半導體層(1)的生長工藝期間，沿著生長的所述第一半導體層(1)的至少一個延伸方向產生不均勻的橫向溫度分布，使得建立所述第一半導體層(1)的材料組成的橫向變化。

2.根據權利要求1所述的方法，其中有針對性地至少部分地通過局部變化的光輻照(300)產生所述不均勻的橫向溫度分布。

3.根據權利要求2所述的方法，其中所述光輻照(300)包括用激光器進行輻照。

4.根據權利要求2或3所述的方法，其中通過光轉向裝置(400)和/或通過多個能彼此獨立操控的光源(301)局部地改變所述光輻照(300)，以產生所述不均勻的橫向溫度分布。

5.根據上述權利要求中任一項所述的方法，其中有針對性地至少部分地通過溫度分布結構(7)產生所述不均勻的橫向溫度分布，所述溫度分布結構具有至少一個溫度分布結構元件(70)，所述溫度分布結構元件引起生長的所述第一半導體層(1)的溫度的局部升高或降低。

6.根據權利要求5所述的方法，其中在生長襯底(6)上生長所述第一半導體層(1)，并且所述溫度分布結構(7)設置在所述生長襯底(6)的背離所述第一半導體層(1)的一側上。

7.根據權利要求5或6所述的方法，其中在生長襯底(6)上生長所述第一半導體層(1)，并且所述溫度分布結構(7)設置在所述生長襯底(6)的朝向所述第一半導體層(1)的一側上。

8.根據權利要求5至7中任一項所述的方法，其中所述溫度分布結構(7)以與所述生長襯底(6)直接接觸的方式設置。

9.根據權利要求5至8中任一項所述的方法，其中所述溫度分布結構(7)從所述生長襯底(6)起觀察借助保護層(8，9)覆蓋，和/或在所述溫度分布結構(7)和所述生長襯底(6)之間設置有保護層(8)。

10.根據權利要求5至9中任一項所述的方法，其中所述溫度分布結構(7)嵌入到保護層(8，9)中。

11.根據權利要求5至10中任一項所述的方法，其中所述溫度分布結構(7)嵌入半導體層中和/或生長襯底(6)中。

12.根據權利要求5至11中任一項所述的方法，其中所述溫度分布結構(7)保留在制成的所述半導體芯片(100)中。

13.根據權利要求5至12中任一項所述的方法，其中所述溫度分布結構元件(70)具有吸收電磁輻射的材料。

14.根據權利要求5至13中任一項所述的方法，其中所述溫度分布結構元件(70)具有在生長襯底(6)中的凸出部和/或凹陷部。

15.根據權利要求5至14中任一項所述的方法，其中所述溫度分布結構元件(70)具有在生長襯底(6)中的凹陷部，在所述凹陷部中設置有與所述生長襯底(6)相比具有更小的熱導率的熱障材料。

16.根據權利要求5至15中任一項所述的方法，其中所述溫度分布結構元件(70)具有在生長襯底(6)中的凸出部，所述凸出部引起到載體(200)的局部變化的熱耦合，在所述載體上設置有所述生長襯底(6)。

17.根據上述權利要求中任一項所述的方法，其中所述第一半導體層(1)是波導層和/或有源層的至少一部分。

18.根據上述權利要求中任一項所述的方法，其中在所述第一半導體層(1)上方生長至少一個第二半導體層(2)，并且在所述第二半導體層(2)中產生肋形波導(21)。

19.根據上述權利要求中任一項所述的方法，其中所述第一半導體層(1)是具有多個半導體層的半導體層序列的一部分。

20.一種借助于根據權利要求1至19中任一項所述的方法制造的半導體芯片(100)，所述半導體芯片具有第一半導體層(1)，所述第一半導體層沿著至少一個延伸方向具有材料組成的通過在生長工藝期間橫向變化的溫度分布引起的橫向變化。