[發明專利]一種對顯示器件的處理方法及顯示裝置在審
| 申請號: | 201710334942.7 | 申請日: | 2017-05-12 |
| 公開(公告)號: | CN106952930A | 公開(公告)日: | 2017-07-14 |
| 發明(設計)人: | 劉陸 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京三高永信知識產權代理有限責任公司11138 | 代理人: | 滕一斌 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 顯示 器件 處理 方法 顯示裝置 | ||
技術領域
本發明涉及顯示領域,特別涉及一種對顯示器件的處理方法及顯示裝置。
背景技術
柔性顯示器件包括PI(Polyimide,聚酰亞胺)基板,PI基板的材質通常是塑料材質,具有柔韌性。PI基板上設有顯示區和布線區,布線區的寬度較寬,有3至5毫米的寬度,導致制作出來的顯示器的邊框較寬。
然而,目前市場對顯示器具有窄邊框的需求,為了迎合市場需求,目前可以對布線區進行彎折,將布線區折疊至顯示區的背面,以減小布線區的寬度,進而可以生產出邊框較窄的顯示器。
在實現本發明的過程中,發明人發現現有技術至少存在以下問題:
PI基板的一側表面上設有布線區和顯示區,在另一側表面上設有一層背膜,背膜的厚度較厚,通常是PI基板厚度的數倍,這樣在彎折PI基板時會對布線區內的金屬線產生很大的應力,導致金屬線斷線。
發明內容
為了避免金屬線斷線,本發明提供了一種對顯示器件的處理方法及顯示裝置。所述技術方案如下:
第一方面,本申請的一實施例提供了一種對顯示器件的處理方法,所述顯示器件包括基板,所述基板的一側面設有顯示區和布線區,另一側面設有一層膜層,所述方法包括:
對與所述基板的彎折區相對的膜層進行切割處理,以在所述膜層上形成凹槽,所述彎折區位于所述布線區內;
沿所述凹槽彎折所述布線區,以將所述布線區彎折至所述顯示區的背面。
在第一方面的一種可能的實現方式中,所述對與所述基板的彎折區相對的膜層進行切割處理,包括:
使用激光器向與所述基板的彎折區相對的膜層照射激光,通過所述激光燒蝕所述膜層,以在所述膜層上形成凹槽。
在第一方面的一種可能的實現方式中,所述使用激光器向與所述基板的彎折區相對的膜層照射激光之前,還包括:
在所述激光器與所述膜層之間設置掩膜板,所述掩膜板對激光的透過率從所述掩膜板的邊緣至所述掩膜板的中心逐漸變大。
在第一方面的一種可能的實現方式中,所述使用激光器向與所述基板的彎折區相對的膜層照射激光,包括:
使用激光器向所述掩膜板發射激光,使所述激光透過所述掩膜板照射在與所述基板的彎折區相對的膜層上。
在第一方面的一種可能的實現方式中,所述掩膜板為臺階式半灰階掩膜板。
在第一方面的一種可能的實現方式中,所述激光器發射的激光為UV激光或二氧化碳CO2激光。
在第一方面的一種可能的實現方式中,所述凹槽的寬度大于或等于0.8毫米且小于或等于2毫米。
在第一方面的一種可能的實現方式中,所述凹槽的深度小于所述膜層的厚度與連接層的厚度之和,所述連接層用于連接所述基板和所述膜層。
在第一方面的一種可能的實現方式中,所述凹槽的內側面為弧形或階梯形。
第二方面,本申請的一實施例提供了一種顯示裝置,包括:
基板,所述基板的一側面設有顯示區和布線區,另一側面設有一層膜層;
所述布線區中包括彎折區,所述布線區在所述變折區朝向所述顯示區的背面彎折;
所述膜層包括第一區域和第二區域,所述第一區域為與所述彎折區相對的膜層,所述第二區域為所述膜層中除所述第一區域以外的其他區域的膜層;
所述第一區域的膜層厚度小于所述第二區域的膜層厚度。
本發明提供的技術方案的有益效果是:
通過在與布線區內的彎折區相對的膜層內設有凹槽,所以沿凹槽彎折布線區時,減小膜層對布線區表面設有的金屬線的應力,從而避免在彎折布線區時布線區表面的金屬線出現斷線。
附圖說明
圖1-1是本發明實施例1提供的一種顯示器件的結構示意圖;
圖1-2是本發明實施例1提供的一種顯示裝置的結構示意圖;
圖1-3是本發明實施例1提供的另一種顯示器件的結構示意圖;
圖2是本發明實施例2提供的一種對顯示器件的處理方法流程圖;
圖3-1是本發明實施例3提供的一種對顯示器件的處理方法流程圖;
圖3-2是本發明實施例3提供的一種顯示器件的結構示意圖;
圖3-3是本發明實施例3提供的一種對顯示器件進行處理的示意圖;
圖3-4是本發明實施例3提供的掩膜板的結構示意圖;
圖3-5是本發明實施例3提供的掩膜板與透過率之間的關系示意圖。
具體實施方式
為使本發明的目的、技術方案和優點更加清楚,下面將結合附圖對本發明實施方式作進一步地詳細描述。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





