[發明專利]薄膜晶體管及其制備方法、顯示基板

在審

• 申請號: 201710333559.X
• 申請日: 2017-05-12
• 公開（公告）號: CN107134483A
• 公開（公告）日: 2017-09-05
• 發明（設計）人: 張慧娟
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L29/16
• 分類號: H01L29/16;H01L21/336;H01L29/786
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司11112
• 代理人: 羅瑞芝,陳源

1.一種薄膜晶體管的制備方法，包括形成柵極、源極和漏極的步驟，其特征在于，還包括：

在形成所述柵極、所述源極和所述漏極之前，形成依次層疊設置的第一非晶硅層、絕緣層和第二非晶硅層；

通過晶化工藝使得所述第一非晶硅層形成第一多晶硅層、以及使得所述第二非晶硅層形成第二多晶硅層，所述晶化工藝的能量以及所述第一多晶硅層晶化后釋放的能量使得所述第二多晶硅層的晶化時間大于所述第一多晶硅層的晶化時間，所述第二多晶硅層的晶粒尺寸大于所述第一多晶硅層的晶粒尺寸。

2.根據權利要求1所述的薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，所述晶化工藝為綠色激光晶化工藝，綠色激光晶化工藝的波長范圍為532～556nm，能量密度范圍為400-500mJ/cm²。

3.根據權利要求1所述的薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，使用綠色激光晶化設備完成激光晶化，對包括所述第一非晶硅層和所述第二非晶硅層的基板進行掃描，激光掃描周期范圍為8kHz-12kHz。

4.根據權利要求1所述的薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，在進行綠色激光晶化工藝之前，還包括對包括所述第一非晶硅層和所述第二非晶硅層的基板放入退火爐中進行去氫處理的步驟。

5.根據權利要求1所述的薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，還包括：所述第二多晶硅層在對應著形成所述源極的區域和對應著形成所述漏極的區域進行摻雜。

6.根據權利要求1-5任一項所述的薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，在所述第二多晶硅的上方依次形成柵絕緣層、所述柵極、層間介質層、以及同層設置的所述源極和所述漏極。

7.一種薄膜晶體管，包括柵極、源極和漏極，其特征在于，在所述柵極、所述源極和所述漏極的下方還包括依次層疊設置的第一多晶硅層、絕緣層和第二多晶硅層，所述第二多晶硅層的晶粒尺寸大于所述第一多晶硅層的晶粒尺寸。

8.根據權利要求7所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第一多晶硅層和所述第二多晶硅層由非晶硅材料經綠色激光晶化工藝晶化而成，所述絕緣層采用二氧化硅材料形成。

9.根據權利要求7所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第一多晶硅層的厚度范圍為50-70nm，所述第二多晶硅層的厚度范圍為50-70nm，所述絕緣層的厚度范圍為40-100nm。

10.一種顯示基板，其特征在于，包括權利要求7-9任一項所述的薄膜晶體管。