[發明專利]顯示裝置及顯示裝置中基板上阻擋層的成型方法

有效

• 申請號: 201710331482.2
• 申請日: 2017-05-11
• 公開（公告）號: CN107154421B
• 公開（公告）日: 2020-05-22
• 發明（設計）人: 程磊磊
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;合肥鑫晟光電科技有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L21/77
• 代理公司: 北京清亦華知識產權代理事務所(普通合伙) 11201
• 代理人: 黃德海

1.一種顯示裝置，其特征在于，包括：

基板，所述基板上鋪設有阻擋層；

封裝層，所述阻擋層的至少一部分設在所述基板面向所述封裝層的一側；

電子發光層，所述電子發光層設在所述基板與所述封裝層之間，所述電子發光層上連接有第一像素電極和第二像素電極；

發光層電極，所述發光層電極鋪設在所述電子發光層與所述封裝層之間，

其中，所述阻擋層與所述封裝層之間形成有有源層、源漏電極和柵電極，所述源漏電極與所述有源層電連接，且所述柵電極分別與所述有源層和所述源漏電極絕緣，所述源漏電極與所述第一像素電極相連，且所述柵電極與所述第二像素電極相連。

2.根據權利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，所述阻擋層包括有機阻擋層和無機阻擋層。

3.根據權利要求2所述的顯示裝置，其特征在于，所述有機阻擋層鋪設在所述基板上，所述無機阻擋層形成于所述有機阻擋層的表面上，所述有機阻擋層經過表面處理形成所述無機阻擋層。

4.根據權利要求2或3所述的顯示裝置，其特征在于，所述有機阻擋層為聚二甲基硅氧烷層，所述無機阻擋層為二氧化硅層。

5.根據權利要求2或3所述的顯示裝置，其特征在于，所述有源層設在所述阻擋層上，所述源漏電極形成在所述阻擋層或所述有源層上。

6.根據權利要求2或3所述的顯示裝置，其特征在于，所述柵電極與所述有源層間隔開，且所述柵電極與所述有源層之間沉積有絕緣層。

7.根據權利要求2或3所述的顯示裝置，其特征在于，所述基板為柔性基板，所述基板為聚酰亞胺薄膜或聚萘二甲酸乙二醇酯薄膜。

8.根據權利要求2或3所述的顯示裝置，其特征在于，所述基板和所述有源層中的至少一個包括有機半導體和金屬氧化物半導體中的至少一種。

9.根據權利要求8所述的顯示裝置，其特征在于，所述有機半導體材料包括聚噻吩、聚苯胺、聚吡咯、聚芴、并五苯、酞青氧鈦和紅熒烯中的至少一種；

所述金屬氧化物半導體材料包括氧化鋅、氧化銦鋅、氧化鋅錫、鎵銦鋅氧化物和鋯銦鋅氧化物(ZrInZnO)中至少一種。

10.一種根據權利要求1-9中任一項所述的顯示裝置中基板上阻擋層的成型方法，其特征在于，所述成型方法包括：

在所述基板上涂覆一層經羥基化的聚二甲基硅氧烷膜層，然后對聚二甲基硅氧烷膜層進行氧化處理以在聚二甲基硅氧烷膜層的表面形成二氧化硅膜層，然后對聚二甲基硅氧烷膜層進行低溫固化成型。