[發(fā)明專利]顯示基板及其制造方法、顯示裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710331274.2
• 申請(qǐng)日: 2017-05-11
• 公開（公告）號(hào): CN107154381B
• 公開（公告）日: 2020-03-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王玲;蓋翠麗;張保俠;李全虎;林奕呈
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/77
• 分類號(hào): H01L21/77;H01L27/32
• 代理公司: 北京三高永信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11138
• 代理人: 滕一斌

本發(fā)明公開了一種顯示基板及其制造方法、顯示裝置，屬于顯示技術(shù)領(lǐng)域。所述顯示基板包括：襯底基板，設(shè)置在所述襯底基板上的遮擋層，以及設(shè)置在所述遮擋層遠(yuǎn)離所述襯底基板一側(cè)的頂柵薄膜晶體管；所述遮擋層包括交疊設(shè)置的多個(gè)子遮擋層，任意兩個(gè)相鄰的子遮擋層由不同的非金屬材料形成，因此該各個(gè)子遮擋層可以有效吸收和遮擋環(huán)境光。此外，由于每個(gè)子遮擋層均是由非金屬材料形成的，不會(huì)使薄膜晶體管產(chǎn)生寄生電容，因此該遮擋層的面積可以設(shè)置的較大，能夠在不增加晶體管寄生電容的前提下，進(jìn)一步改善遮擋層的遮光效果。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種顯示基板及其制造方法、顯示裝置。

背景技術(shù)

隨著顯示技術(shù)的發(fā)展，有機(jī)發(fā)光二極管(英文：Organic Light Emitting Diode；簡(jiǎn)稱：OLED)作為一種電流型發(fā)光器件，因其所具有的自發(fā)光、快速響應(yīng)、寬視角等特點(diǎn)而越來(lái)越多地被應(yīng)用于高性能顯示領(lǐng)域當(dāng)中。

相關(guān)技術(shù)中，OLED的顯示基板一般包括形成在襯底基板上的薄膜晶體管(英文：Thin Film Transistor，簡(jiǎn)稱：TFT)、陽(yáng)極、發(fā)光層和陰極，該OLED顯示基板中的TFT一般采用頂柵結(jié)構(gòu)。但由于頂柵結(jié)構(gòu)的TFT中，柵極形成在有源層遠(yuǎn)離襯底基板的一側(cè)，為了避免該有源層受環(huán)境光照射影響TFT的性能，需要在該有源層靠近襯底基板的一側(cè)沉積一層金屬材料作為遮擋層。

但是，由于金屬材料形成的遮擋層會(huì)導(dǎo)致TFT寄生電容的增大，因此該遮擋層的面積一般較小，遮光效果也較差。

發(fā)明內(nèi)容

為了解決相關(guān)技術(shù)中的遮擋層遮光效果較差的問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種顯示基板及其制造方法、顯示裝置。所述技術(shù)方案如下：

第一方面，提供了一種顯示基板，所述顯示基板包括：

襯底基板，設(shè)置在所述襯底基板上的遮擋層，以及設(shè)置在所述遮擋層遠(yuǎn)離所述襯底基板一側(cè)的頂柵薄膜晶體管；

所述遮擋層包括交疊設(shè)置的多個(gè)子遮擋層，任意兩個(gè)相鄰的子遮擋層由不同的非金屬材料形成，且每個(gè)所述子遮擋層在所述襯底基板上的正投影與所述顯示基板中任一像素單元的開口區(qū)域不重疊。

可選的，所述顯示基板還包括：設(shè)置在所述頂柵薄膜晶體管遠(yuǎn)離所述襯底基板一側(cè)的電致發(fā)光單元；

每個(gè)所述子遮擋層在所述襯底基板上的正投影與所述電致發(fā)光單元中像素定義層在所述襯底基板上的正投影重合。

可選的，每個(gè)所述子遮擋層遠(yuǎn)離所述襯底基板且與其他子遮擋層接觸的一面設(shè)置有溝壑。

可選的，所述多個(gè)子遮擋層包括至少一個(gè)第一子遮擋層和至少一個(gè)第二子遮擋層；

每個(gè)所述第一子遮擋層由絕緣材料形成，每個(gè)所述第二子遮擋層由半導(dǎo)體材料形成。

可選的，每個(gè)所述第二子遮擋層的厚度大于每個(gè)所述第一子遮擋層的厚度，且所述遮擋層中與所述頂柵薄膜晶體管接觸的為第二子遮擋層。

第二方面，提供了一種顯示基板的制造方法，所述方法包括：

提供一襯底基板；

采用非金屬材料在所述襯底基板上形成多個(gè)子遮擋層，所述多個(gè)子遮擋層形成為遮擋層，其中，任意兩個(gè)相鄰的子遮擋層采用不同的非金屬材料形成，且每個(gè)所述子遮擋層在所述襯底基板上的正投影與所述顯示基板中任一像素單元的開口區(qū)域不重疊；

在形成有所述遮擋層的襯底基板上形成頂柵薄膜晶體管。

可選的，所述方法還包括：

在形成有所述頂柵薄膜晶體管的所述襯底基板上形成電致發(fā)光單元；

每個(gè)所述子遮擋層與所述電致發(fā)光單元中的像素定義層采用同一個(gè)掩膜板形成。