[發明專利]顯示基板及其制造方法、顯示裝置有效
| 申請號: | 201710331274.2 | 申請日: | 2017-05-11 |
| 公開(公告)號: | CN107154381B | 公開(公告)日: | 2020-03-13 |
| 發明(設計)人: | 王玲;蓋翠麗;張保俠;李全虎;林奕呈 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/77 | 分類號: | H01L21/77;H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138 | 代理人: | 滕一斌 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 及其 制造 方法 顯示裝置 | ||
1.一種顯示基板,其特征在于,所述顯示基板包括:
襯底基板,設置在所述襯底基板上的遮擋層,以及設置在所述遮擋層遠離所述襯底基板一側的頂柵薄膜晶體管;
所述遮擋層包括交疊設置的多個子遮擋層,任意兩個相鄰的子遮擋層由不同的非金屬材料形成,且每個所述子遮擋層在所述襯底基板上的正投影與所述顯示基板中任一像素單元的開口區域不重疊;
所述顯示基板還包括:設置在所述頂柵薄膜晶體管遠離所述襯底基板一側的電致發光單元;
每個所述子遮擋層在所述襯底基板上的正投影與所述電致發光單元中像素定義層在所述襯底基板上的正投影重合,且所述遮擋層的形狀與所述像素定義層的形狀相同。
2.根據權利要求1所述的顯示基板,其特征在于,
每個所述子遮擋層遠離所述襯底基板且與其他子遮擋層接觸的一面設置有溝壑。
3.根據權利要求1或2所述的顯示基板,其特征在于,
所述多個子遮擋層包括至少一個第一子遮擋層和至少一個第二子遮擋層;
每個所述第一子遮擋層由絕緣材料形成,每個所述第二子遮擋層由半導體材料形成。
4.根據權利要求3所述的顯示基板,其特征在于,
每個所述第二子遮擋層的厚度大于每個所述第一子遮擋層的厚度,且所述遮擋層中與所述頂柵薄膜晶體管接觸的為第二子遮擋層。
5.根據權利要求1所述的顯示基板,其特征在于,所述頂柵薄膜晶體管包括:有源層、柵極和源漏極,所述遮擋層的覆蓋面積大于所述有源層。
6.一種顯示基板的制造方法,其特征在于,所述方法包括:
提供一襯底基板;
采用非金屬材料在所述襯底基板上形成多個子遮擋層,所述多個子遮擋層形成為遮擋層,其中,任意兩個相鄰的子遮擋層采用不同的非金屬材料形成,且每個所述子遮擋層在所述襯底基板上的正投影與所述顯示基板中任一像素單元的開口區域不重疊;
在形成有所述遮擋層的襯底基板上形成頂柵薄膜晶體管;
所述方法還包括:
在形成有所述頂柵薄膜晶體管的所述襯底基板上形成電致發光單元;
每個所述子遮擋層與所述電致發光單元中的像素定義層采用同一個掩膜板形成,且形成的所述遮擋層的形狀與形成的所述像素定義層的形狀相同。
7.根據權利要求6所述的方法,其特征在于,
每個所述子遮擋層遠離所述襯底基板且與其他子遮擋層接觸的一面形成有溝壑。
8.根據權利要求6或7所述的方法,其特征在于,所述采用非金屬材料在所述襯底基板上形成多個子遮擋層,包括:
采用絕緣材料形成至少一個第一子遮擋層;
采用半導體材料形成至少一個第二子遮擋層;
其中,所述第二子遮擋層與所述第一子遮擋層交替形成。
9.一種顯示裝置,其特征在于,所述裝置包括:
如權利要求1至5任一所述的顯示基板。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于京東方科技集團股份有限公司,未經京東方科技集團股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201710331274.2/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種碘化亞銅二維材料、制備及其應用
- 下一篇:一種氟硅改性仿石漆的制備方法
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





