[發明專利]一種陣列基板的制作方法、陣列基板和顯示裝置

有效

• 申請號: 201710329127.1
• 申請日: 2017-05-11
• 公開（公告）號: CN107146791B
• 公開（公告）日: 2020-06-26
• 發明（設計）人: 李海旭;曹占鋒;姚琪
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L21/77
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 許靜;劉偉

1.一種陣列基板的制作方法，其特征在于，包括：

形成平坦化層；

在所述平坦化層上依次形成透明導電氧化物層和金屬層；

在所述金屬層上涂布光刻膠，并采用半色調或灰色調掩膜版，對所述光刻膠進行構圖，形成光刻膠全保留區、光刻膠半保留區和光刻膠全去除區；

刻蝕掉所述光刻膠全去除區內的金屬層；

采用灰化工藝，去除所述光刻膠半保留區內的全部光刻膠以及所述光刻膠全保留區的部分光刻膠；

刻蝕掉所述光刻膠全去除區內的透明導電氧化物層，形成透明導電氧化物層圖形；

刻蝕掉所述光刻膠半保留區內的金屬層，形成金屬層圖形；

剝離所述光刻膠全保留區內的光刻膠。

2.根據權利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述平坦化層和所述光刻膠均采用有機樹脂制成。

3.根據權利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述灰化工藝中采用的作用氣體包括氧氣。

4.根據權利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述刻蝕掉所述光刻膠全去除區內的透明導電氧化物層的步驟中，選取預定刻蝕液，使得所述透明導電氧化物層的刻蝕速率與所述金屬層的刻蝕速率的比值高于預設閾值。

5.根據權利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述透明導電氧化物層采用ITO制成。

6.根據權利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述金屬層采用Mo制成。

7.根據權利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述形成平坦化層的步驟之前還包括：

形成源漏金屬層圖形。