[發明專利]一種晶體硅硅片蒸鍍減反射膜的方法在審
| 申請號： | 201710329065.4 | 申請日： | 2017-05-11 |
| 公開（公告）號： | CN107164745A | 公開（公告）日： | 2017-09-15 |
| 發明（設計）人： | 李明;吳得軼;成秋云 | 申請（專利權）人： | 湖南紅太陽光電科技有限公司 |
| 主分類號： | C23C16/513 | 分類號： | C23C16/513;C23C16/46;H01L31/0216;H01L31/18 |
| 代理公司： | 湖南兆弘專利事務所(普通合伙)43008 | 代理人： | 周長清,廖元寶 |
| 地址： | 410205 湖南省*** | 國省代碼： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 晶體 硅片 減反射膜 方法 | ||
1.一種晶體硅硅片蒸鍍減反射膜的方法，其特征在于，對裝載有晶體硅硅片的載體進行預熱處理后，再送入至PECVD設備的工藝腔室(6)進行蒸鍍減反射膜。
2.根據權利要求1所述的晶體硅硅片蒸鍍減反射膜的方法，其特征在于，對裝載有晶體硅硅片的載體預熱至溫度T′z0后，再送入至工藝腔室(6)進行蒸鍍減反射膜，其中T′z0>200℃。
3.根據權利要求1所述的晶體硅硅片蒸鍍減反射膜的方法，其特征在于，在載體等待進入工藝腔室(6)的等待時間內，對載體進行預熱處理。
4.根據權利要求1或2或3所述的晶體硅硅片蒸鍍減反射膜的方法，其特征在于，所述載體送入工藝腔室(6)進行蒸鍍減反射膜的具體步驟為：
S01、將載體推送至工藝腔室(6)內部的恒溫區，密閉工藝腔室(6)；
S02、對密閉的工藝腔室(6)抽真空作業，同時對工藝腔室(6)進行加熱；
S03、當工藝腔室(6)溫度到達預設溫度Ts時，向工藝腔室(6)內充入反應氣體，并對工藝腔室(6)的壓力進行控制，以滿足工藝要求；
S04、在工藝腔室(6)內形成射頻電場，反應氣體反應后，在晶體硅硅片上沉積減反射膜。
5.根據權利要求4所述的晶體硅硅片蒸鍍反射膜的方法，其特征在于，在步驟S01中，首先將晶體硅硅片裝載于載體內，再進行預熱處理，預熱處理后的載體放置于取放舟系統(11)的承載區(12)，開啟工藝腔室(6)，經由取放舟系統(11)將載體推送至工藝腔室(6)內部的恒溫區(7)，密閉工藝腔室(6)。
6.根據權利要求4所述的晶體硅硅片蒸鍍反射膜的方法，其特征在于，步驟S04中的晶體硅硅片沉積減反射膜后，還包括以下步驟：
S05、抽空工藝腔室(6)內的殘余反應氣體；
S06、向工藝腔室(6)內充入惰性氣體，對工藝腔室(6)進行吹掃、清洗；
S07、向工藝腔室(6)內充入惰性氣體，使工藝腔室(6)內的氣壓回復到與大氣壓強相同；
S08、開啟工藝腔室(6)，將載體從工藝腔室(6)內取出；
S09、待載體冷卻后，卸載載體中的晶體硅硅片。
7.根據權利要求1或2或3所述的晶體硅硅片蒸鍍減反射膜的方法，其特征在于，所述載體為石墨舟(8)。
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C23C 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面擴散法，化學轉化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆，例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上，例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的
