[發(fā)明專利]一種陣列基板的制備方法、陣列基板和顯示裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710326373.1
• 申請日: 2017-05-10
• 公開（公告）號: CN107146770B
• 公開（公告）日: 2021-01-22
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 宮奎;段獻(xiàn)學(xué)
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;合肥京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12;H01L27/32
• 代理公司: 北京潤澤恒知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11319
• 代理人: 莎日娜

1.一種陣列基板的制備方法，其特征在于，所述方法包括：

提供一基板，所述基板包括：襯底、柵極、柵極絕緣層、有源層、源極、漏極和鈍化層，所述鈍化層上設(shè)置有暴露所述漏極的漏極過孔；

在所述鈍化層上形成一碳膜層；

在所述碳膜層上形成一光刻膠層；

對所述光刻膠層進(jìn)行圖案化處理，以形成完全不保留的第一區(qū)域和完全保留的第二區(qū)域，所述第一區(qū)域暴露出所述碳膜層的部分對應(yīng)區(qū)域，其中，所述第一區(qū)域為像素電極，所述第二區(qū)域為像素界定層，像素界定層與像素電極的遠(yuǎn)離襯底的表面與襯底平行且位于同一個連續(xù)的平面內(nèi)；

以所述光刻膠層為掩膜，對所述第一區(qū)域暴露出的所述碳膜層的部分對應(yīng)區(qū)域進(jìn)行改性處理，以得到包括改性處理后的區(qū)域的碳膜層；

去除所述光刻膠層；

所述碳膜層為氧化石墨烯層；

所述對所述光刻膠層進(jìn)行圖案化處理，以形成完全不保留的第一區(qū)域和完全保留的第二區(qū)域，所述第一區(qū)域暴露出所述碳膜層的部分對應(yīng)區(qū)域的步驟包括：

對像素電極區(qū)域?qū)?yīng)的光刻膠層進(jìn)行曝光處理，形成曝光區(qū)域和非曝光區(qū)域；

對所光刻膠層進(jìn)行顯影處理，所述曝光區(qū)域形成暴露出所述像素電極區(qū)域?qū)?yīng)的氧化石墨烯層的完全不保留的第一區(qū)域，所述非曝光區(qū)域形成覆蓋像素界定層區(qū)域?qū)?yīng)的氧化石墨烯層的完全保留的第二區(qū)域；

所述以所述光刻膠層為掩膜，對所述第一區(qū)域暴露出的所述碳膜層的部分對應(yīng)區(qū)域進(jìn)行改性處理，以得到包括改性處理后的區(qū)域的碳膜層的步驟包括：

以所述光刻膠層為掩膜，對所述第一區(qū)域暴露出的氧化石墨烯層進(jìn)行還原處理，得到材質(zhì)為石墨烯的像素電極，未被還原處理的第二區(qū)域覆蓋的氧化石墨烯層為像素界定層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述鈍化層上形成一碳膜層的步驟包括：

將氧化石墨烯分散在溶劑中形成懸浮液；

將所述懸浮液涂布在所述鈍化層上，以及填充暴露所述漏極的漏極過孔；

對所述鈍化層上的懸浮液加熱，蒸發(fā)所述懸浮液中的溶劑，得到氧化石墨烯層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述對所述第一區(qū)域暴露出的氧化石墨烯層進(jìn)行還原處理具體為：

使用氫、氬等離子處理所述第一區(qū)域暴露出的氧化石墨烯層，使氧化石墨烯還原為石墨烯層。

4.一種陣列基板，其特征在于，所述陣列基板包括：

襯底；

形成在所述襯底上的柵極；

覆蓋所述柵極的柵極絕緣層；

形成在所述柵極絕緣層上的有源層；

形成在所述有源層上的源極和漏極；

覆蓋所述柵極絕緣層、源極和漏極的鈍化層；

形成于所述鈍化層上的像素界定層和像素電極，所述像素電極通過所述鈍化層的漏極過孔與所述漏極電連接，其中，

所述像素界定層的材質(zhì)為氧化石墨烯，所述像素電極的材質(zhì)為石墨烯，所述像素界定層和所述像素電極通過一次成膜和圖案化處理后，進(jìn)行改性處理形成于所述鈍化層，像素界定層與像素電極的遠(yuǎn)離襯底的表面與襯底平行且位于同一個連續(xù)的平面內(nèi)；

在像素電極區(qū)域，形成曝光區(qū)域和非曝光區(qū)域；

在曝光區(qū)域暴露出所述像素電極區(qū)域?qū)?yīng)的氧化石墨烯層為完全不保留的第一區(qū)域，所述非曝光區(qū)域形成覆蓋像素界定層區(qū)域?qū)?yīng)的氧化石墨烯層的完全保留的第二區(qū)域。

5.一種顯示裝置，其特征在于，所述顯示裝置包括權(quán)利要求4所述的陣列基板。