[發(fā)明專利]一種GaAs光電陰極的化學(xué)清洗方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710324608.3
• 申請(qǐng)日: 2017-05-10
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107123582A
• 公開(kāi)（公告）日: 2017-09-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張益軍;馮琤;張翔;張景智;錢蕓生;張俊舉
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 南京理工大學(xué)
• 主分類號(hào): H01J9/12
• 分類號(hào): H01J9/12;B08B3/08;B08B3/12
• 代理公司: 南京理工大學(xué)專利中心32203
• 代理人: 吳茂杰

1.一種GaAs光電陰極的化學(xué)清洗方法，其特征在于，包括如下步驟：

(10)脫脂清洗：將GaAs光電陰極置入有機(jī)溶劑，進(jìn)行超聲波脫脂清洗；

(20)刻蝕清洗：將經(jīng)過(guò)脫脂清洗的GaAs光電陰極置入刻蝕液，進(jìn)行刻蝕清洗；

(30)去離子水沖洗：將經(jīng)過(guò)刻蝕清洗的GaAs光電陰極用去離子水進(jìn)行沖洗，得到清潔的GaAs光電陰極。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化學(xué)清洗方法，其特征在于，所述(10)脫脂清洗步驟具體為：

將GaAs光電陰極依次置入四氯化碳、丙酮、無(wú)水乙醇和去離子水中進(jìn)行超聲波脫脂清洗，清洗時(shí)間不少于5分鐘。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化學(xué)清洗方法，其特征在于，所述(20)刻蝕清洗步驟包括：

(21)氫氟酸刻蝕：將經(jīng)過(guò)脫脂清洗的GaAs光電陰極置入氫氟酸溶液，刻蝕時(shí)間不少于5分鐘；

(22)混合液刻蝕：將經(jīng)過(guò)氫氟酸刻蝕的GaAs光電陰極置入鹽酸異丙醇混合溶液，刻蝕時(shí)間不少于5分鐘。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的化學(xué)清洗方法，其特征在于，所述氫氟酸溶液的濃度為40％。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的化學(xué)清洗方法，其特征在于，所述鹽酸異丙醇混合溶液中，鹽酸溶液HCl含量為36％～38％，鹽酸和異丙醇混合比例為1:10。