[發明專利]有機薄膜晶體管

有效

• 申請號: 201710324191.0
• 申請日: 2017-05-10
• 公開（公告）號: CN108878650B
• 公開（公告）日: 2021-12-03
• 發明（設計）人: 林冠嶧;唐文忠;陳柏煒;許毓麟
• 申請（專利權）人: 元太科技工業股份有限公司
• 主分類號: H01L51/05
• 分類號: H01L51/05;H01L51/10
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國

1.一種有機薄膜晶體管，其特征在于，包含：

基板；

源極/漏極層，位于所述基板上，所述源極/漏極層具有源極區與漏極區；

第一緩沖層，位于所述源極區與所述漏極區之間，且覆蓋至少部分的所述源極區與至少部分的所述漏極區；

半導體層，位于所述源極/漏極層與所述第一緩沖層上，其中所述第一緩沖層位于所述半導體層、所述源極區、所述漏極區與所述基板之間；

柵極絕緣層，覆蓋所述源極/漏極層與所述半導體層；

柵極，位于所述柵極絕緣層上，且所述柵極絕緣層的一部分位于所述柵極與所述半導體層之間；

保護層，沿所述半導體層設置，其中所述半導體層位于所述保護層與所述源極/漏極層之間，及所述保護層與所述第一緩沖層之間；以及

光阻層，位于所述保護層上，且位于所述柵極絕緣層與所述保護層之間。

2.如權利要求1所述的有機薄膜晶體管，其特征在于，還包含：

阻障層，位于所述基板上，其中所述第一緩沖層位于所述半導體層、所述源極區、所述漏極區與所述阻障層之間。

3.如權利要求2所述的有機薄膜晶體管，其特征在于，還包含：

第二緩沖層，位于所述阻障層上，其中所述第一緩沖層位于所述半導體層、所述源極區、所述漏極區與所述第二緩沖層之間。

4.如權利要求1所述的有機薄膜晶體管，其特征在于，所述源極區具有相對的第一表面與第二表面，且具有鄰接所述第一表面與所述第二表面的側壁，所述第一表面朝向所述基板，且所述側壁與所述第一表面夾鈍角。

5.如權利要求4所述的有機薄膜晶體管，其特征在于，所述第一緩沖層具有中央部與延伸部，所述中央部位于所述源極區與所述漏極區之間，所述延伸部位于所述源極區的所述第二表面上。

6.如權利要求5所述的有機薄膜晶體管，其特征在于，至少部分的所述源極區位于所述延伸部與所述中央部之間。

7.如權利要求5所述的有機薄膜晶體管，其特征在于，所述第一緩沖層接觸所述源極區的所述側壁。

8.如權利要求1所述的有機薄膜晶體管，其特征在于，所述漏極區具有相對的第一表面與第二表面，且具有鄰接所述第一表面與所述第二表面的側壁，所述第一表面朝向所述基板，且所述側壁與所述第一表面夾鈍角。