[發明專利]垂直隧穿負微分電阻器件

有效

• 申請號: 201710321221.2
• 申請日: 2011-12-22
• 公開（公告）號: CN107275392B
• 公開（公告）日: 2020-12-01
• 發明（設計）人: R·皮拉里塞泰
• 申請（專利權）人: 英特爾公司
• 主分類號: H01L29/10
• 分類號: H01L29/10;H01L29/739;H01L29/772;H01L29/778;H01L21/331;H01L21/335;H01L29/205
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 林金朝;王英

1.一種微電子器件，包括：

上量子阱；

下量子阱，其通過阻擋層而與所述上量子阱分隔開；

柵極電極，其通過頂部阻擋層而與所述上量子阱分隔開；

上量子阱接觸部，其延伸穿過所述頂部阻擋層并且耦合到所述上量子阱；以及

下量子阱接觸部，其耦合到所述下量子阱，其中，所述下量子阱接觸部延伸穿過所述頂部阻擋層和所述上量子阱，并且所述下量子阱接觸部利用電介質材料與所述頂部阻擋層和所述上量子阱電隔離，

其中，所述上量子阱和所述下量子阱中的至少一個是摻雜的。

2.如權利要求1所述的微電子器件，其中，所述上量子阱和所述下量子阱中的至少一個包括銦鎵砷。

3.如權利要求1所述的微電子器件，其中，所述阻擋層包括銦鋁砷。

4.如權利要求1所述的微電子器件，其中，所述上量子阱和所述下量子阱中的至少一個是n型摻雜的。

5.如權利要求1所述的微電子器件，其中，所述上量子阱和所述下量子阱中的至少一個是p型摻雜的。

6.如權利要求1所述的微電子器件，其中，所述柵極電極適用于調整所述上量子阱中的電流密度。

7.一種系統，包括：

集成電路器件；以及

主存儲器；

其中，所述集成電路器件和所述主存儲器中的至少一個包括微電子器件，所述微電子器件包括：上量子阱；通過阻擋層而與所述上量子阱分隔開的下量子阱；通過頂部阻擋層而與所述上量子阱分隔開的柵極電極；上量子阱接觸部，其延伸穿過所述頂部阻擋層并且耦合到所述上量子阱；以及下量子阱接觸部，其耦合到所述下量子阱，其中，所述下量子阱接觸部延伸穿過所述頂部阻擋層和所述上量子阱，并且所述下量子阱接觸部利用電介質材料與所述頂部阻擋層和所述上量子阱電隔離，并且其中，所述上量子阱和所述下量子阱中的至少一個是摻雜的。

8.如權利要求7所述的系統，其中，所述上量子阱和所述下量子阱中的至少一個包括銦鎵砷。

9.如權利要求7所述的系統，其中，所述阻擋層包括銦鋁砷。

10.一種微電子器件，包括：

上量子阱；

下量子阱，其通過阻擋層而與所述上量子阱分隔開；

柵極電極，其接近所述上量子阱；

上量子阱接觸部，其耦合到所述上量子阱；以及

下量子阱接觸部，其耦合到所述下量子阱，其中，所述下量子阱接觸部延伸穿過所述上量子阱并且利用電介質材料與所述上量子阱電隔離，

其中，所述上量子阱和所述下量子阱中的至少一個是摻雜的。

11.如權利要求10所述的微電子器件，其中，所述上量子阱和所述下量子阱中的至少一個包括銦鎵砷。

12.如權利要求10所述的微電子器件，其中，所述阻擋層包括銦鋁砷。

13.如權利要求10所述的微電子器件，其中，所述上量子阱和所述下量子阱中的至少一個是n型摻雜的。

14.如權利要求10所述的微電子器件，其中，所述上量子阱和所述下量子阱中的至少一個是p型摻雜的。

15.如權利要求10所述的微電子器件，其中，所述柵極電極適用于調整所述上量子阱中的電流密度。