[發明專利]一種調節和確定飽和溫度的方法

在審

• 申請號: 201710320721.4
• 申請日: 2017-05-09
• 公開（公告）號: CN108865270A
• 公開（公告）日: 2018-11-23
• 發明（設計）人: 王萬利
• 申請（專利權）人: 王萬利
• 主分類號: C10J3/02
• 分類號: C10J3/02
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種調節和確定飽和溫度的方法，飽和溫度40-65℃，其特征在于，包括：

飽和溫度每升高1℃，氧化層上升6-100mm，其一，氣化劑混合前，蒸汽壓力小，氧化層上升距離小，蒸汽壓力大，氧化層上升距離大，其二，氣化劑通過氣化劑混合器，蒸汽壓力減量大，氧化層上升距離小，蒸汽壓力減量小，氧化層上升距離大，其三，基本飽和溫度低，氧化層上升距離小，飽和溫度高，氧化層上升距離大；

升高飽和溫度，減少或消除蒸汽壓力變化，1-5個氧化層循環周期，飽和溫度穩定，蒸汽壓力穩定，升高飽和溫度，氧化層上升距離基本等于氧化層循環位置升高距離；

飽和溫度每降低1℃，氧化層下降6-100mm，其一，氣化劑混合前，蒸汽壓力小，氧化層下降距離小，蒸汽壓力大，氧化層下降距離大，其二，氣化劑通過氣化劑混合器，蒸汽壓力減量大，氧化層下降距離小，蒸汽壓力減量小，氧化層下降距離大，其三，基本飽和溫度低，氧化層下降距離小，飽和溫度高，氧化層下降距離大；

降低飽和溫度，減少或消除蒸汽壓力變化，1-3個氧化層循環周期，飽和溫度穩定，蒸汽壓力穩定，降低飽和溫度，氧化層下降距離基本等于氧化層循環位置降低距離；

氧化層循環位置內，氧化層上升，飽和溫度同時升高0.1-3℃，氧化層下降，飽和溫度同時降低0.1-3℃，飽和溫度升高值基本等于飽和溫度降低值，按氧化層循環周期循環。

2.根據權利要求1所述的調節和確定飽和溫度的方法，其特征在于：氧化層循環位置低，升高飽和溫度小于或等于3℃，或升高蒸汽壓力小于或等于0.03Mp，或升高飽和溫度和升高蒸汽壓力，或升高飽和溫度和降低蒸汽壓力，或升高蒸汽壓力和降低飽和溫度，一個氧化層循環周期，氧化層上升小于或等于60mm，1-5個氧化層循環周期，氧化層循環位置穩定，氧化層循環位置升高小于或等于60mm。

3.根據權利要求1所述的調節和確定飽和溫度的方法，其特征在于：氧化層循環位置高，降低飽和溫度小于或等于3℃，或降低蒸汽壓力小于或等于0.03Mp，或降低飽和溫度和降低蒸汽壓力，或降低蒸汽壓力和升高飽和溫度，或降低飽和溫度和升高蒸汽壓力，一個氧化層循環周期，氧化層下降小于或等于60mm，1-3個氧化層循環周期，氧化層循環位置穩定，氧化層循環位置降低小于或等于60mm。

4.根據權利要求1-3任一項所述的調節和確定飽和溫度的方法，其特征在于：

(一)調節氣化劑空氣、氧氣流量，或煤氣壓力，制造氧化層循環，或檢驗需要，結束后，氣化劑空氣、氧氣流量和煤氣壓力不變，其他時間，不調節氣化劑空氣、氧氣流量和煤氣壓力；煤不變；穩定除渣；上述三項是確定和使用最佳飽和溫度和對應的最佳蒸汽壓力的條件；

(二)單段爐蒸汽壓力范圍0.07-0.3Mp，兩段爐蒸汽壓力范圍0.2-0.4Mp，蒸汽壓力范圍內，間隔0.01-0.06Mp，選擇3-5個蒸汽壓力，選擇1-2次；

(三)選擇的蒸汽壓力和飽和溫度分別通過下列檢驗，飽和溫度與蒸汽壓力對應；飽和溫度升高0.1-1.5℃，氧化層循環位置升高10-30mm，4h后，氣化效率降低；飽和溫度降低0.1-1.5℃，氧化層循環位置降低10-30mm，4h后，氣化效率降低；飽和溫度升高值基本等于飽和溫度降低值，檢驗結束，飽和溫度不變；

(四)依據氣化效率高，從選擇的蒸汽壓力對應的飽和溫度中，選出最佳飽和溫度和對應的最佳蒸汽壓力；

(五)選擇的蒸汽壓力和對應的飽和溫度，對應適當氧化層循環位置，每個適當氧化層循環位置基本相同。

5.根據權利要求1-4任一項所述的調節和確定飽和溫度的方法，其特征在于：氧化層循環的第一環節是氧化層上升過程，氧化層上升60s內，升高飽和溫度。

6.根據權利要求1-4任一項所述的調節和確定飽和溫度的方法，其特征在于：氧化層循環的第二環節是氧化層下降過程的中前部，單段爐氧化層下降5min后，兩段爐氧化層下降10min后，至氧化層循環的第三環節，氧化層下降過程結束，降低飽和溫度，氧化層循環的第三環節是氧化層下降過程的后部。