[發(fā)明專利]組分含量高度可控的三元異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料及其制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710319005.4 | 申請日： | 2017-05-08 |
| 公開（公告）號： | CN107176590A | 公開（公告）日： | 2017-09-19 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 米杰;張帥國;岳魯超;武蒙蒙;李忠;溫振宇 | 申請（專利權(quán)）人： | 太原理工大學(xué) |
| 主分類號： | B82Y30/00 | 分類號： | B82Y30/00;H01M4/36;H01M4/48;H01M4/58;H01M4/583;H01M10/0525 |
| 代理公司： | 太原華弈知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所14108 | 代理人： | 李毅 |
| 地址： | 030024 *** | 國省代碼： | 山西;14 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 組分 含量 高度 可控 三元 結(jié)構(gòu) 材料 及其 制備 方法 | ||
1.一種組分含量高度可控的三元異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料的制備方法，是：
將羥基化碳納米管分散在可溶性錫鹽的水溶液中得到一混合分散液；
以得到的混合分散液進(jìn)行水熱反應(yīng)，得到碳納米管負(fù)載納米SnO2復(fù)合材料；
以所述碳納米管負(fù)載納米SnO2復(fù)合材料為前驅(qū)體，惰性環(huán)境下通入H2S氣體進(jìn)行硫化處理，得到SnO2/SnS2/CNTs三元異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征是所述的羥基化碳納米管是羥基含量2～6wt%、長度1～30μm的碳納米管。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征是所述混合分散液中，Sn4+濃度0.008～0.08mol/L，羥基化碳納米管濃度0.4～4g/L。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征是所述水熱反應(yīng)的反應(yīng)溫度140～180℃，反應(yīng)時間12～16h。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征是將所述前驅(qū)體在300～450℃硫化處理0.5～6h。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征是所述H2S氣體的體積濃度為0.1%～1%。
7.根據(jù)權(quán)利要求1、5或6所述的方法，其特征是將所述硫化處理在固定床硫化反應(yīng)器中進(jìn)行，所述固定床硫化反應(yīng)器內(nèi)的氣體體積流量10～80ml/min。
8.以權(quán)利要求1所述方法制備得到的三元異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料，由SnO2納米顆粒、SnS2納米片和羥基化碳納米管組成，其中羥基化碳納米管含量15～25wt%，SnO2含量10～70wt%，SnS2含量10～70wt%。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的三元異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料，其特征是所述SnS2納米片直徑50～250nm，羥基化碳納米管纏繞在SnS2納米片之間，SnO2納米顆粒直徑5～10nm，修飾在SnS2納米片與羥基化碳納米管的表面。
10.權(quán)利要求8所述三元異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料作為鈉離子電池負(fù)極材料的應(yīng)用。
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