[發明專利]照明裝置的倒裝結構及其制作方法

有效

• 申請號: 201710318571.3
• 申請日: 2017-05-08
• 公開（公告）號: CN107134470B
• 公開（公告）日: 2019-03-05
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 深圳市尚來特科技有限公司
• 主分類號: H01L27/15
• 分類號: H01L27/15;H01L33/38
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 石佩

本發明涉及一種照明裝置的倒裝結構及其制作方法。照明裝置的倒裝結構包括層疊設置的襯底、緩沖層、N型氮化物半導體層、有源層及P型氮化物半導體層，透明導電層設于P型氮化物半導體層上，利用黃光蝕刻制程蝕刻透明導電層至有源層，暴露N型氮化物半導體層，得到凸形臺面。P型接觸金屬設于透明導電層上，N型接觸金屬設于暴露出的N型氮化物半導體層上。沉積并蝕刻第一絕緣層以露出P/N型接觸金屬的一部分。倒裝P型電極設于露出的P型接觸金屬上，倒裝N型電極設于露出的N型接觸金屬上。再沉積并蝕刻第二絕緣層以露出倒裝P/N型電極的一部分。在制作凸形臺面時，利用圓形孔洞與長條形孔洞的結合，降低蝕刻精度，提高良率。

技術領域

本發明涉及照明技術領域，特別是涉及一種照明裝置的倒裝結構及其制作方法。

背景技術

在照明裝置的倒裝結構中，襯底與電極層分別位于有源層的兩側，有源層激發的光需要從襯底發出而不能透過電極層，因此，就需要在有源層遠離襯底的一側添加高反射材料來反射光線。常用的方式有以下兩種方式：第一種方式是在有源層與電極層之間直接鍍上一層高反射率的金屬，如Ag、Al等，同時，這層高反射率的金屬還作為歐姆接觸層；第二種方式是將電極層設置成高穿透率的透明電極層，再在透明電極層上覆蓋一層高反射率的金屬，如ITO/Ag等。不管選用哪有方式，為避免電流不穩定，都需要在倒裝結構上蝕刻多個圓形孔洞，而蝕刻圓形孔洞的精度要求比較高，所以工藝較為復雜，從而導致倒裝結構的良率較低。

發明內容

基于此，有必要針對傳統的照明裝置的倒裝結構良率較低的問題，提供一種良率較高的照明裝置的倒裝結構及其制作方法。

一種照明裝置的倒裝結構，包括：

外延組件，包括層疊設置的襯底、緩沖層、N型氮化物半導體層、有源層及P型氮化物半導體層，所述襯底遠離所述緩沖層的一側為所述外延組件的第一側，所述P型氮化物半導體層遠離所述有源層的一側為所述外延組件的第二側，所述第二側上設有經蝕刻而成的凹槽，所述凹槽由所述P型氮化物半導體層延伸至所述N型氮化物半導體層，所述凹槽的數目為多個，多個所述凹槽將所述第二側劃分為多個第一面，所述凹槽的側壁為第二面，所述凹槽的底壁為第三面，所述第一面、所述第二面與所述第三面連接形成凸形臺面，部分所述凹槽在所述第一側上的投影為圓形或圓環，部分所述凹槽在所述第一側上的投影為長條形；

透明導電層，設于所述第一面上；

P型接觸金屬，設于所述透明導電層上；

N型接觸金屬，設于所述第三面上；

第一絕緣層，設于所述凸形臺面、所述透明導電層、所述P型接觸金屬及所述N型接觸金屬上，所述第一絕緣層上設有經蝕刻而成的第一溝槽，所述第一溝槽用于裸露所述P型接觸金屬的一部分及所述N型接觸金屬的一部分；

倒裝P型電極，設于所述第一絕緣層以及正對于所述第一溝槽的所述P型接觸金屬上；

倒裝N型電極，設于所述第一絕緣層以及正對于所述第一溝槽的所述N型接觸金屬上，且所述倒裝N型電極與所述倒裝P型電極間隔；以及

第二絕緣層，設于所述第一絕緣層、所述倒裝P型電極以及所述倒裝N型電極上，所述第二絕緣層上設有經蝕刻而成的第二溝槽，所述第二溝槽用于裸露所述倒裝P型電極的一部分及所述倒裝N型電極的一部分。

在其中一個實施例中，所述P型接觸金屬包括P型點接觸金屬及P型線接觸金屬，所述P型點接觸金屬的數目為一個或多個，所述P型線接觸金屬的數目為一個或多個；

所述N型接觸金屬包括N型點接觸金屬及N型線接觸金屬，所述N型點接觸金屬的數目為一個或多個，所述N型線接觸金屬的數目為一個或多個。

在其中一個實施例中，所述P型點接觸金屬正對于所述第一溝槽，所述第一絕緣層將所述倒裝P型電極與所述P型線接觸金屬隔離；