[發明專利]具有可調整臨界電壓的高壓耗盡型MOS元件及其制造方法

有效

• 申請號: 201710313015.7
• 申請日: 2017-05-05
• 公開（公告）號: CN108807379B
• 公開（公告）日: 2021-08-27
• 發明（設計）人: 黃宗義;楊清堯
• 申請（專利權）人: 立锜科技股份有限公司
• 主分類號: H01L27/088
• 分類號: H01L27/088;H01L21/8234
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 張一軍;趙靜

1.一種具有可調整臨界電壓的高壓耗盡型MOS元件，形成于一半導體基板，其中該半導體基板，于一縱向上，具有相對的一上表面與一下表面，其特征在于，該高壓耗盡型MOS元件包含：

一第一導電型阱區，形成于該半導體基板中，且于該縱向上，位于該上表面下方并接觸于該上表面；

一第二導電型溝道區，形成于該第一導電型阱區中，且于該縱向上，位于該上表面下方并接觸于該上表面，其中當該第二導電型溝道區于一非耗盡狀態下，該高壓耗盡型MOS元件導通操作，且于一耗盡狀態下，該高壓耗盡型MOS元件不導通操作；

一第二導電型連接區，形成于該第一導電型阱區中，且于該縱向上，位于該上表面下方并接觸于該上表面，且于一橫向上，鄰接于該第二導電型溝道區；

一第一導電型柵極，形成于該上表面上，于該縱向上，該第一導電型柵極堆疊并接觸于該上表面上，且位于并接觸該第二導電型溝道區的至少一部分區域正上方，用以控制該第二導電型溝道區為該耗盡狀態或該非耗盡狀態；

一第二導電型輕摻雜擴散區，形成于該第一導電型阱區中，且于該縱向上，位于該上表面下方并接觸于該上表面，并位于該第一導電型柵極的一間隔層正下方，且于該橫向上，鄰接于該第二導電型溝道區；

一第二導電型源極，形成于該第一導電型阱區中，且于該縱向上，位于該上表面下方并接觸于該上表面，且于該橫向上，鄰接于該第二導電型輕摻雜擴散區；以及

一第二導電型漏極，形成于該第一導電型阱區中，且于該縱向上，位于該上表面下方并接觸于該上表面，且于該橫向上，鄰接于該第二導電型連接區，且不與該第一導電型柵極相鄰接；其中該第二導電型連接區的雜質摻雜濃度低于該第二導電型漏極的雜質摻雜濃度；

其中該第一導電型柵極具有第一導電型或/及第二導電型的雜質摻雜，且該第一導電型柵極的一凈摻雜濃度根據一目標臨界電壓而決定；

其中該基板還具有一高壓MOS元件，與該高壓耗盡型MOS元件，利用對應相同的工藝步驟，形成一第一導電型阱區、一第二導電型源極、以及一第二導電型漏極，且該高壓MOS元件具有一第二導電型柵極。

2.如權利要求1所述的高壓耗盡型MOS元件，其中，還包含一場氧化區，形成于該上表面上，且堆疊并接觸于部分該第二導電型連接區的正上方，其中該第一導電型柵極靠近該第二導電型漏極側的部分區域，于該縱向上堆疊且接觸于至少一部分該場氧化區的正上方。