[發明專利]陣列基板及其制作方法、顯示裝置

有效

• 申請號: 201710312687.6
• 申請日: 2017-05-05
• 公開（公告）號: CN107425011B
• 公開（公告）日: 2019-12-27
• 發明（設計）人: 張斌;詹裕程;周婷婷;孫雪菲;舒適
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 11112 北京天昊聯合知識產權代理有限公司
• 代理人: 姜春咸;陳源

本發明提供一種陣列基板的制作方法，包括：提供襯底；在所述襯底上形成包括有源層的圖形；在所述襯底上形成包括柵極的圖形，所述柵極位于所述有源層背離所述襯底的一側，并與所述有源層絕緣間隔，所述有源層的一部分與所述柵極相交疊；在所述襯底的背離所述有源層的一側形成包括光阻擋層的圖形，所述有源層與所述柵極相交疊區域在所述襯底上的正投影落入所述光阻擋層在所述襯底上的正投影。相應地，本發明還提供一種陣列基板和一種顯示裝置。本發明能夠減小光阻擋層與上方導電膜層之間形成的寄生電容，并且防止準分子激光退火工藝中產生結晶不良，還可以簡化陣列基板的制作工藝。

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，具體涉及一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置。

背景技術

目前，低溫多晶硅技術(Low Temperature Poly-Silicon，LTPS)技術成為中小尺寸顯示行業的主流。在低溫多晶硅技術中由于多晶硅對背光較為敏感，因而會采用在有源層下方設置遮光層來解決這一問題。現有技術中常利用金屬作為低溫多晶硅或其他頂柵結構形成遮光層，具體結構為：襯底上設置金屬材料的遮光層，遮光層上設置有覆蓋整個襯底的緩沖層，緩沖層上設置有源層，有源層中至少待形成溝道的區域與遮光層對應，這種結構會導致以下問題：遮光層會與其上方的導電結構(如，有源層或柵極)產生寄生電容，從而影響薄膜晶體管的質量；并且，對于低溫多晶硅結構，在其有源層的制作過程中，需要進行準分子激光退火工藝(Excimer Laser Annealing，ELA)，以使得非晶硅形成多晶硅，而由于遮光層的設置，使得緩沖層的表面具有較大的段差，從而導致激光退火工藝的精度降低，進而造成結晶不良，影響薄膜晶體管的質量。

發明內容

本發明旨在至少解決現有技術中存在的技術問題之一，提出了一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置，以減少上述寄生電容，并且防止準分子激光退火工藝中產生結晶不良。

為了解決上述技術問題之一，本發明提供一種陣列基板的制作方法，包括：

提供襯底；

在所述襯底上形成包括有源層的圖形；

在所述襯底上形成包括柵極的圖形，所述柵極位于所述有源層背離所述襯底的一側，并與所述有源層絕緣間隔，所述有源層的一部分與所述柵極相交疊；

在所述襯底的背離所述有源層的一側形成包括光阻擋層的圖形，所述有源層與所述柵極相交疊區域在所述襯底上的正投影落入所述光阻擋層在所述襯底上的正投影。

優選地，在所述襯底的背離所述有源層的一側形成包括光阻擋層的圖形的步驟包括：

在所述襯底背離所述有源層的一側依次形成半透光材料層和光刻膠層；

以所述柵極為掩膜對所述光刻膠層進行曝光并顯影，以使對應于柵極的光刻膠保留，其余區域的光刻膠被去除；

以剩余的光刻膠為掩膜，對所述半透光材料層進行刻蝕，以保留對應于柵極的半透光材料，去除其他區域的半透光材料，形成所述光阻擋層。

優選地，形成包括有源層的圖形的步驟和形成包括光阻擋層的圖形的步驟同步進行，該同步進行的步驟包括：

在襯底的兩側分別形成透明的有源材料層和半透光材料層，并在所述有源材料層上和所述半透光材料層上均形成光刻膠層；

利用同一張掩膜板自所述襯底的任意一側對襯底兩側的光刻膠層進行曝光，并對曝光后的光刻膠層顯影，以保留對應于有源區的光刻膠，其余區域的光刻膠被去除；

以剩余的光刻膠為掩膜，對所述有源材料層和所述半透光材料層進行刻蝕，以形成對應于所述有源區的有源層和光阻擋層。

優選地，所述半透光材料層包括非晶硅材料層。

優選地，所述有源層的材料包括多晶硅。