[發明專利]金屬輔助電極及使用其的顯示器件的制造方法

有效

• 申請號: 201710309567.0
• 申請日: 2017-05-04
• 公開（公告）號: CN107093680B
• 公開（公告）日: 2019-01-22
• 發明（設計）人: 羅程遠;劉則
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L51/56
• 分類號: H01L51/56;H01L51/52
• 代理公司: 北京律智知識產權代理有限公司 11438
• 代理人: 邢雪紅;王衛忠

本公開提供一種金屬輔助電極及使用其的顯示器件的制造方法。顯示器件的金屬輔助電極的制造方法包括：在顯示器件的像素界定層的頂部形成至少一個凹槽；以及通過轉印的方法在所述像素界定層的頂部形成金屬輔助電極。通過凹槽結構可以有效的增大金屬輔助電極與頂電極接觸面積，減小接觸電阻，提高電極導電性能；通過轉印的方法形成金屬輔助電極可以簡化工藝流程。

技術領域

本公開涉及顯示技術領域，具體而言，涉及一種金屬輔助電極及使用其的顯示器件的制造方法。

背景技術

OLED(Organic Light-Emitting Diode,有機發光二極管)是近年來逐漸發展起來的顯示照明技術，尤其在顯示行業，由于其具有高響應、高對比度、可柔性化等優點，被視為擁有廣泛的應用前景。尤其是頂發射OLED器件，由于具有更高的開口率，和利用微腔效應實現光取出優化等優點，成為研究的主要方向。由于采用的是頂發射結構，因此要求作為出光面OLED的頂電極必須具備良好的光透過率。目前，頂發射透明電極使用的多為薄金屬、ITO、IZO等材料，其中金屬由于透過率較差，薄化后作為大面積電極使用容易造成電阻增大，不利于大尺寸器件的開發。ITO、IZO等透明度高的材料，本身的導電性能弱于金屬，因此現有技術中，將金屬作為輔助電極，采用光刻的方法制作在非發光區域，提高頂電極的整體導電性，達到降低電阻的作用。但是這種光刻技術需要復雜的工藝，涉及多道掩膜板和曝光工序，而且由于其需要高溫、光刻膠沖刷等工藝特點須避免對OLED器件發光層的損害，不適合作為量產手段。

轉印技術由于可以做到精確圖案印刷，方法簡單，作為一種新型的技術收到業界的青睞，金屬電路的制作可采用轉印技術，通常方法是將金屬膜制作在平面脫膜層上，再將涂布電路分布圖案的粘性膠材的電路板與金屬層對合，分離后使金屬從脫膜層上剝離，以電路圖案的形狀粘結在電路板上，達到轉印金屬電路的效果，但是此種方案容易發生金屬膜的片狀剝離，造成多余的金屬粘連，也是急需解決的技術問題。

此外，還需考慮接觸電阻的問題。由于透明電極多為銦鋅、銦錫的氧化物，其成膜過程中會產生氧或添加氧輔助成膜，使輔助電極表面產生氧化物絕緣層，導致導體接觸的不連續性，會產生一個附加電阻，即接觸電阻。接觸電阻越高，造成的壓降越大，釋放的能量越多，會造成器件變暗，溫度上升至一定極限，甚至會出現接觸點損壞。減少接觸電阻的主要方法有改善接觸面材料和增大接觸面積，其中，改善接觸面材料往往引入更貴重材料，增加成本。因此，增大頂電極與輔助電極的接觸面積應是主要考慮的對象。

因此，設計一種新的金屬輔助電極的制作方法是目前亟待解決的技術問題。

發明內容

本公開的目的在于提供一種金屬輔助電極及使用其的顯示器件的制造方法，進而至少在一定程度上克服由于相關技術的限制和缺陷而導致的一個或者多個問題。

本公開的其他特性和優點將通過下面的詳細描述變得清晰，或者部分地通過本公開的實踐而習得。

根據本公開的第一方面，提供一種顯示器件的金屬輔助電極的制造方法，包括：

在顯示器件的像素界定層的頂部形成至少一個凹槽；以及

通過轉印的方法在所述像素界定層的頂部形成金屬輔助電極。

在本公開的一種示例性實施例中，所述凹槽形狀為矩形、倒梯形或半圓形。

在本公開的一種示例性實施例中，所述凹槽的深度為所述像素界定層高度的20％-50％。

在本公開的一種示例性實施例中，所述凹槽為兩個。

在本公開的一種示例性實施例中，所述通過轉印的方法在所述像素界定層的頂部形成金屬輔助電極包括：

在第一平面載臺上涂布膠黏劑，將所述像素界定層的頂部放置在第一平面載臺上，使所述像素界定層的頂部粘有膠黏劑；