[發明專利]一種條型超表面結構偏振相關窄帶探測器及其制備與應用有效
| 申請號: | 201710308855.4 | 申請日: | 2017-05-04 |
| 公開(公告)號: | CN107170849B | 公開(公告)日: | 2019-06-18 |
| 發明(設計)人: | 易飛;郭頌;劉歡;談小超;楊奧;李君宇;蔣順;周侖 | 申請(專利權)人: | 華中科技大學;深圳華中科技大學研究院 |
| 主分類號: | H01L31/0352 | 分類號: | H01L31/0352;H01L31/09 |
| 代理公司: | 華中科技大學專利中心 42201 | 代理人: | 許恒恒;李智 |
| 地址: | 430074 湖北*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 條型超 表面 結構 偏振 相關 窄帶 探測器 及其 制備 應用 | ||
1.一種基于膠體量子點的條型超表面結構偏振相關窄帶探測器,其特征在于,包括金背板(1)、正負金電極(2)、膠體量子點(3)、周期性條形結構(4)、硅(5)以及二氧化硅(6);正負金電極(2)位于金背板(1)兩側且兩者均位于膠體量子點(3)下表面,膠體量子點(3)涂布于周期性條形結構(4)表層,且涂布于硅(5)下表面各個周期性條形結構(4)之間間隔的部分,周期性條形結構(4)并排位于硅(5)下表面,二氧化硅(6)位于硅(5)上表面。
2.根據權利要求1所述的一種基于膠體量子點的條型超表面結構偏振相關窄帶探測器,其特征在于:所述的膠體量子點(3)厚度為100-200nm。
3.根據權利要求1所述的一種基于膠體量子點的條型超表面結構偏振相關窄帶探測器,其特征在于:所述周期性條形結構(4)材質為硅。
4.根據權利要求1所述的一種基于膠體量子點的條型超表面結構偏振相關窄帶探測器,其特征在于:所述周期性條形結構(4)厚度為50-100nm。
5.根據權利要求1所述的一種基于膠體量子點的條型超表面結構偏振相關窄帶探測器,其特征在于:周期性條形結構(4)中每一個條形結構與左右兩邊間隙寬度的一半構成一個單元結構的周期為1100-2500nm。
6.根據權利要求5所述的一種基于膠體量子點的條型超表面結構偏振相關窄帶探測器,其特征在于:周期性條形結構(4)中每一個條形結構寬度與一個單元結構的周期的比例簡稱占空比為0.3-0.8。
7.根據權利要求1所述的一種基于膠體量子點的條型超表面結構偏振相關窄帶探測器,其特征在于:所述硅(5)的厚度為100-200nm。
8.如權利要求1所述的一種基于膠體量子點的條型超表面結構偏振相關窄帶探測器,其特征在于,應用于光纖通信、光學成像、氣體傳感或光譜分析。
10.如權利要求9所述的一種基于膠體量子點的條型超表面結構偏振相關窄帶探測器的制備方法,其特征在于,通過調整膠體量子點厚度、硅層厚度、周期性條形結構厚度、結構單元周期,每一個條形結構的占空比可實現不同波段的吸收。
11.如權利要求10所述的一種基于膠體量子點的條型超表面結構偏振相關窄帶探測器的制備方法,其特征在于,膠體量子點厚度100nm,硅層厚度100nm,周期性條形結構厚度65nm,單元結構的周期寬度1540nm時,占空比0.5可實現在1550nm處的吸收。
12.如權利要求10所述的一種基于膠體量子點的條型超表面結構偏振相關窄帶探測器的制備方法,其特征在于,膠體量子點厚度100nm,硅層厚度100nm,周期性條形結構厚度50nm,單元結構的周期寬度1100nm時,占空比0.3可實現在1247nm處的吸收。
13.如權利要求10所述的一種基于膠體量子點的條型超表面結構偏振相關窄帶探測器的制備方法,其特征在于,膠體量子點厚度200nm,硅層厚度200nm,周期性條形結構厚度100nm,單元結構的周期寬度2500nm時,占空比0.8,可實現在1949nm處的吸收。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





