[發明專利]一種零靜態功耗的離散閾值電壓比較器

有效

• 申請號: 201710307691.3
• 申請日: 2017-05-04
• 公開（公告）號: CN107196629B
• 公開（公告）日: 2020-10-23
• 發明（設計）人: 李琰;俞航;姜來;黃隆錦;劉少華
• 申請（專利權）人: 深圳大學
• 主分類號: H03K5/24
• 分類號: H03K5/24;H03M1/12
• 代理公司: 深圳市順天達專利商標代理有限公司 44217
• 代理人: 高占元

1.一種零靜態功耗的離散閾值電壓比較器，其特征在于，包括：第一晶體管(MP0)和多條并聯的閥值調節支路(P)，

每條閥值調節支路(P)均與第一晶體管(MP0)和電壓比較器的數字使能位(EN)連接，每條閥值調節支路(P)均根據數字使能位(EN)接收到的數字化控制信號調節電壓比較器的閥值電壓；每條所述閥值調節支路(P)包括：第二晶體管(MN)和第三晶體管(MNS)，第一晶體管(MP0)的柵極、每條所述閥值調節支路(P)中第二晶體管(MN)的柵極均與電壓比較器的輸入端(IN)連接，第一晶體管(MP0)的源極與電源電壓(VDD)連接，第一晶體管(MP0)的漏極分別與每條所述閥值調節支路(P)中第二晶體管(MN)的源極以及電壓比較器的輸出端(OUT)連接，第二晶體管(MN)的漏極與第三晶體管(MNS)的源極連接，每條所述閥值調節支路(P)中第三晶體管(MNS)的柵極均與電壓比較器的數字使能位(EN)連接，每條所述閥值調節支路(P)中第三晶體管(MNS)的漏極接地。

2.根據權利要求1所述的電壓比較器，其特征在于，還包括：用于提高電壓比較器的驅動能力及控制電壓比較器輸出邏輯的極性的BUF器件(10)，所述BUF器件(10)的輸入端分別與第一晶體管(MP0)的漏極以及每條所述閥值調節支路(P)中第二晶體管(MN)的源極連接，所述BUF器件(10)的輸出端與電壓比較器的輸出端(OUT)連接。

3.根據權利要求2所述的電壓比較器，其特征在于，所述BUF器件(10)為模擬或者數字電路的形式制備。

4.根據權利要求1所述的電壓比較器，其特征在于，所述第一晶體管(MP0)為P型MOS管，所述第二晶體管(MN)和第三晶體管(MNS)均為N型MOS管。

5.根據權利要求1所述的電壓比較器，其特征在于，每條所述閥值調節支路(P)包括：第二晶體管(MN)和第三晶體管(MNS)，

第一晶體管(MP0)的柵極、每條所述閥值調節支路(P)中第二晶體管(MN)的柵極均與電壓比較器的輸入端(IN)連接，第一晶體管(MP0)的漏極與電源電壓(VDD)連接，第一晶體管(MP0)的源極分別與每條所述閥值調節支路(P)中第二晶體管(MN)的漏極以及電壓比較器的輸出端(OUT)連接，第二晶體管(MN)的源極與第三晶體管(MNS)的漏極連接，每條所述閥值調節支路(P)中第三晶體管(MNS)的柵極均與電壓比較器的數字使能位(EN)連接，每條所述閥值調節支路(P)中第三晶體管(MNS)的源極接地。

6.根據權利要求5所述的電壓比較器，其特征在于，還包括：用于提高電壓比較器的驅動能力及控制電壓比較器輸出邏輯的極性的BUF器件(10)，所述BUF器件(10)的輸入端分別與第一晶體管(MP0)的源極以及每條所述閥值調節支路(P)中第二晶體管(MN)的漏極連接，所述BUF器件(10)的輸出端與電壓比較器的輸出端(OUT)連接。

7.根據權利要求6所述的電壓比較器，其特征在于，所述BUF器件(10)為模擬或者數字電路的形式制備。

8.根據權利要求5所述的電壓比較器，其特征在于，所述第一晶體管(MP0)為P型MOS管，所述第二晶體管(MN)和第三晶體管(MNS)均為N型MOS管。