[發(fā)明專(zhuān)利]一種高精度極小尺寸自支撐鈹薄膜的制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710307426.5 | 申請(qǐng)日: | 2017-05-04 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN107142449B | 公開(kāi)(公告)日: | 2019-05-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李?lèi)?/a>;吳衛(wèi)東;羅炳池;羅江山;張吉強(qiáng);譚秀蘭;李文琦;金雷;何玉丹 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 中國(guó)工程物理研究院激光聚變研究中心 |
| 主分類(lèi)號(hào): | C23C14/02 | 分類(lèi)號(hào): | C23C14/02;C23C14/16;C23C14/24;B24B1/00 |
| 代理公司: | 綿陽(yáng)市博圖知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 51235 | 代理人: | 鄧昉 |
| 地址: | 621000*** | 國(guó)省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 高精度 極小 尺寸 支撐 薄膜 制備 方法 | ||
1.一種高精度極小尺寸自支撐鈹薄膜的制備方法,其特征在于,依次包括以下步驟:
(a) 在銅塊體表面加工出高精度的臺(tái)階;
(b) 精細(xì)研磨銅臺(tái)階端面粗糙度至納米量級(jí);
(c) 在銅臺(tái)階端面蒸發(fā)沉積鋁薄膜;
(d) 在鋁薄膜表面沉積鈹薄膜;
(e) 采用NaOH溶液反應(yīng)去除鋁薄膜襯底,得到高精度極小尺寸自支撐鈹薄膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述高精度極小尺寸自支撐鈹薄膜的制備方法,其特征在于:步驟(a)所述的銅塊體為純銅材料,所述銅塊體的尺寸介于10mm×10mm×10mm~15mm×15mm×15mm,高精度的臺(tái)階采用精密數(shù)控加工,臺(tái)階高度1mm~2mm,臺(tái)階外形尺寸小于1mm,所述臺(tái)階精度控制在1μm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述高精度極小尺寸自支撐鈹薄膜的制備方法,其特征在于:步驟(b)所述的精細(xì)研磨采用高效精密拋光機(jī)進(jìn)行。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述高精度極小尺寸自支撐鈹薄膜的制備方法,其特征在于:所述的精細(xì)研磨方法為:拋光機(jī)的上下拋光盤(pán)分別以不同旋轉(zhuǎn)方向反向旋轉(zhuǎn),研磨液采用顆粒為微納量級(jí)的金剛石拋光液或氧化物拋光液,研磨后的臺(tái)階端面粗糙度數(shù)值用探針式輪廓儀表征,其值小于50nm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述高精度極小尺寸自支撐鈹薄膜的制備方法,其特征在于:步驟(c)所述的鋁薄膜采用熱蒸發(fā)制備,鋁薄膜厚度0.5μm~1μm,表面粗糙度Ra值不超過(guò)50nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述高精度極小尺寸自支撐鈹薄膜的制備方法,其特征在于:步驟(d)所述的鈹薄膜采用磁控濺射沉積,鈹薄膜厚度為1μm~10μm,鈹薄膜表面粗糙度Ra值不超過(guò)100nm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述高精度極小尺寸自支撐鈹薄膜的制備方法,其特征在于:步驟(e)所述的NaOH溶液,其濃度值為3wt.‰~6wt.‰。
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C23C14-00 通過(guò)覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





