[發(fā)明專利]一種新型的高色域發(fā)光器件及其制備方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710306732.7
• 申請日: 2017-05-04
• 公開（公告）號: CN107123726A
• 公開（公告）日: 2017-09-01
• 發(fā)明（設計）人: 肖蔓達;何睦;明天;肖慧
• 申請（專利權）人: 武漢保麗量彩科技有限公司
• 主分類號: H01L33/50
• 分類號: H01L33/50;H01L33/54
• 代理公司: 北京律譜知識產權代理事務所(普通合伙)11457
• 代理人: 黃云鐸

1.一種新型高色域發(fā)光器件，其特征在于，所述高色域發(fā)光器件包括：封裝器件、發(fā)光芯片、量子點封裝體以及封裝膠，所述發(fā)光芯片設置于所述封裝器件的內部，所述量子點封裝體位于所述發(fā)光芯片上方，所述封裝膠填充在所述封裝器件內，所述量子點封裝體包括外部封裝層和內部量子點層。

2.根據權利要求1所述的新型高色域發(fā)光器件，其特征在于，所述量子點封裝體位于所述封裝器件內，所述封裝膠包括第一封裝膠和第二封裝膠，所述第一封裝膠封裝所述發(fā)光芯片，所述第二封裝膠封裝所述量子點封裝體。

3.根據權利要求2所述的新型高色域發(fā)光器件，其特征在于，所述封裝器件為封裝杯，優(yōu)選地，所述封裝杯為內部具有階梯的封裝杯，所述量子點封裝體置于所述階梯上。

4.根據權利要求1所述的新型高色域發(fā)光器件，其特征在于，所述量子點封裝體位于所述封裝器件外，所述發(fā)光芯片的出光方向上，所述高色域發(fā)光器件還包括封裝體支架，所述量子點封裝體安裝在所述封裝體支架的底部，所述封裝體支架倒扣在所述封裝器件上方。

5.根據權利要求4中所述的新型高色域發(fā)光器件，其特征在于，所述封裝體支架包括外圍支架和插入支架，所述外圍支架的底部具有用于卡固所述插入支架的卡固件，所述量子點封裝體固定在所述插入支架上。

6.根據權利要求1-4中任意一項所述的新型高色域發(fā)光器件，其特征在于，所述量子點封裝體包括第一水氧阻隔材料層、量子點層和第二水氧阻隔材料層，所述第一水氧阻隔材料層和所述第二水氧阻隔材料層將所述量子點層封裝在二者中間，優(yōu)選地，所述量子點層為量子點材料均勻分散在高分子分散體中所形成，所述外部封裝層由多層阻隔層構成，每層阻隔層至少包含兩層不同材料或組合物。

7.根據權利要求1-4中任意一項所述的新型高色域發(fā)光器件，其特征在于，

所述高色域發(fā)光器件還包括熒光粉層，所述熒光粉層替代全部或部分所述封裝膠。

8.根據權利要求1-4中任意一項所述的新型高色域發(fā)光器件，其特征在于，所述封裝膠為環(huán)氧樹脂、硅膠、聚丙烯酸酯、玻璃、聚碳酸酯或者上述材料的混合或組合，所述量子點材料選自元素周期表中第Ⅱ主族與第Ⅵ主族中的元素形成的化合物、第Ⅲ主族與第Ⅴ主族中的元素形成的化合物或者是這兩種化合物的多種包覆形成的核殼結構化合物。

9.一種新型高色域發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述方法包括如下步驟：

步驟(1)、制備量子點封裝體；

步驟(2)、準備封裝器件和發(fā)光芯片；

步驟(3)、將所述發(fā)光芯片固定于所述封裝器件的內部，優(yōu)選為底部；

步驟(4)、在封裝器件內、所述發(fā)光芯片所在的一側施加一層封裝膠；

步驟(5)、將所述量子點封裝體置于所述發(fā)光芯片上方；

步驟(6)、在所述封裝器件內二次填充封裝膠，并進行固化。

10.根據權利要求9所述的高色域發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，

所述步驟(1)包括：將量子點材料均勻分散在高分子分散體中，然后將量子點分散體涂覆在兩層阻隔材料中間，進行固化成型，

優(yōu)選地，所述步驟(4)包括對所述封裝膠進行首次固化，

優(yōu)選地，所述步驟(5)包括通過封裝體支架將所述量子點封裝體安裝在所述發(fā)光芯片上方。