[發(fā)明專利]用于晶體硅太陽(yáng)能電池的擴(kuò)散工藝有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710305222.8 | 申請(qǐng)日: | 2017-05-03 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN107086254B | 公開(kāi)(公告)日: | 2019-02-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張華燦;趙釗;劉德臣;王軍;顧艷杰 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 北京捷宸陽(yáng)光科技發(fā)展有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L31/18 | 分類號(hào): | H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京遠(yuǎn)大卓悅知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11369 | 代理人: | 史霞 |
| 地址: | 101102 北京市通州區(qū)中關(guān)村*** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 晶體 太陽(yáng)能電池 擴(kuò)散 工藝 | ||
本發(fā)明公開(kāi)了一種用于晶體硅太陽(yáng)能電池的擴(kuò)散工藝,包括如下步驟:依次進(jìn)行三步擴(kuò)散和推進(jìn),其中,第一步擴(kuò)散和第一次推進(jìn)的中心溫度為810℃,第二步擴(kuò)散和第二次推進(jìn)的中心溫度為820℃,第三步擴(kuò)散和第三次推進(jìn)的中心溫度為830℃,于每步擴(kuò)散中通入攜帶磷源氮?dú)?。本發(fā)明實(shí)現(xiàn)了四探針測(cè)試條件下90?100Ω/sq的高方阻,5點(diǎn)測(cè)試均勻性更好,有效降低了結(jié)深,減少了表面復(fù)合,配合合適的絲網(wǎng)印刷工藝,可以有效提升電池的開(kāi)路電壓和短路電流,使電池效率至少有0.1%的絕對(duì)值提升。該工藝過(guò)程操作簡(jiǎn)單,沒(méi)有增加生產(chǎn)成本,易于工業(yè)化推廣。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于光伏領(lǐng)域晶硅電池的擴(kuò)散工藝,涉及一種用于晶體硅太陽(yáng)能電池的擴(kuò)散工藝。
背景技術(shù)
晶體硅太陽(yáng)能電池的基本工藝流程為制絨-擴(kuò)散-刻蝕-鍍膜-印刷-燒結(jié)-測(cè)試。其中擴(kuò)散在整個(gè)工藝流程中起著至關(guān)重要的作用。太陽(yáng)能電池的發(fā)電原理為光生伏特效應(yīng),擴(kuò)散制造了PN結(jié),PN結(jié)是光生伏特的關(guān)鍵結(jié)構(gòu)。擴(kuò)散工藝決定了PN結(jié)的結(jié)構(gòu)和硅片的表面狀態(tài),最終會(huì)影響電池的光電轉(zhuǎn)換效率。擴(kuò)散的實(shí)現(xiàn)方法有熱擴(kuò)散、離子注入、激光、外延及高頻電注入法等。目前,工業(yè)化的擴(kuò)散工藝為熱擴(kuò)散,即使用氮?dú)鈹y帶三氯氧磷的方式,在有氧氣氛中完成高溫磷擴(kuò)散。在三氯氧磷液態(tài)源擴(kuò)散過(guò)程中主要發(fā)生3個(gè)反應(yīng):
5POCl3=P2O5+3PCl5 (1)
4PCl5+5O2=2P2O5+10Cl2 (2)
2P2O5+5Si=4P+5SiO2 (3)
常規(guī)擴(kuò)散工藝一般為一步擴(kuò)散,該工藝的缺陷為方塊電阻均勻性差、結(jié)深不好控制、表面復(fù)合嚴(yán)重,對(duì)開(kāi)路電壓和短路電流造成不利影響,從而降低了電池的光電轉(zhuǎn)換效率。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個(gè)目的是解決至少上述問(wèn)題和/或缺陷,并提供至少后面將說(shuō)明的優(yōu)點(diǎn)。
本發(fā)明還有一個(gè)目的是提供一種用于晶體硅太陽(yáng)能電池的擴(kuò)散工藝。
為此,本發(fā)明提供的技術(shù)方案為:
一種用于晶體硅太陽(yáng)能電池的擴(kuò)散工藝,包括:
依次進(jìn)行三步擴(kuò)散和推進(jìn),其中,第一步擴(kuò)散和第一次推進(jìn)的中心溫度為810℃,第二步擴(kuò)散和第二次推進(jìn)的中心溫度為820℃,第三步擴(kuò)散和第三次推進(jìn)的中心溫度為830℃,于每步擴(kuò)散中通入攜帶磷源氮?dú)狻?/p>
優(yōu)選的是,所述的用于晶體硅太陽(yáng)能電池的擴(kuò)散工藝中,所述第一步擴(kuò)散中,通入攜帶磷源氮?dú)?00sccm-880sccm,氧氣600sccm,氮?dú)?3000sccm-18000sccm,持續(xù)時(shí)間360s;
所述第一步推進(jìn)中,通入氮?dú)?5000sccm-25000sccm,持續(xù)時(shí)間300s。
優(yōu)選的是,所述的用于晶體硅太陽(yáng)能電池的擴(kuò)散工藝中,所述第二部擴(kuò)散中,通入攜帶磷源氮?dú)?00sccm-880sccm,氧氣600sccm,氮?dú)?3000sccm-18000sccm,持續(xù)時(shí)間480s;
所述第二步推進(jìn)中,通入氮?dú)?5000sccm-25000sccm,時(shí)間300s。
優(yōu)選的是,所述的用于晶體硅太陽(yáng)能電池的擴(kuò)散工藝中,所述第三部擴(kuò)散中,通入攜帶磷源氮?dú)?00sccm-880sccm,氧氣600sccm,氮?dú)?3000sccm-18000sccm,持續(xù)時(shí)間540s;
所述第三步推進(jìn)中,通入氮?dú)?5000sccm-25000sccm,持續(xù)時(shí)間300s。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門(mén)適用于通過(guò)這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門(mén)適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過(guò)該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





