[發(fā)明專利]一種鈣鈦礦的寬波段柔性光探測器及其制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710295130.6 | 申請日: | 2017-04-28 |
| 公開(公告)號: | CN107425123A | 公開(公告)日: | 2017-12-01 |
| 發(fā)明(設計)人: | 趙奎;李劍波;沈穎麗;劉渝城;石峰;劉生忠 | 申請(專利權)人: | 陜西師范大學 |
| 主分類號: | H01L51/42 | 分類號: | H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48 |
| 代理公司: | 西安通大專利代理有限責任公司61200 | 代理人: | 李宏德 |
| 地址: | 710062 *** | 國省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 鈣鈦礦 波段 柔性 探測器 及其 制備 方法 | ||
技術領域
本發(fā)明涉及一種鈣鈦礦光探測器,具體為一種鈣鈦礦的寬波段柔性光探測器及其制備方法。
背景技術
光探測器被廣泛應用于圖像傳感、光纖傳輸、光譜和生物醫(yī)用等方面。目前在紫外、可見和紅外區(qū)域的光探測器分別采用SiC、Si和HgCdTe來制備。但這些光探測器具有嚴重的缺陷:不透明、無法柔性制備和質(zhì)量重。因此可卷曲和便攜式的新一代高效光探測器成為了重要的研究方向。有機鹵素鈣鈦礦具有吸收波段寬,光生載流子遷移距離長以及缺陷態(tài)密度較低的優(yōu)點,成為制備新一代高效光電器件的重要材料。基于有機鹵素鈣鈦礦薄膜、納米纖維以及單晶的光探測器基本結構包括鈣鈦礦材料和金屬電極。當鈣鈦礦在光照下產(chǎn)生光生載流子,在金屬電極上加電壓時,在電場作用下產(chǎn)生電流,如圖1。基于有機鹵素鈣鈦礦材料的光探測器在紫外區(qū)域和可見光區(qū)域都獲得優(yōu)異的性能。探測率高達1014;響應度高達3.47A/W;快速響應僅為0.3ms(3,4)。但是,有機鹵素鈣鈦礦在近紅外區(qū)域存在的光吸收缺陷,使得光探測器在近紅外波段缺乏有效的光響應。
發(fā)明內(nèi)容
針對現(xiàn)有技術中存在的問題,本發(fā)明提供一種鈣鈦礦的寬波段柔性光探測器及其制備方法,能夠大尺度制備,柔性可卷曲,容易實現(xiàn)大面積具有紫外-可見-近紅外的寬波段光響應性。
本發(fā)明是通過以下技術方案來實現(xiàn):
一種鈣鈦礦的寬波段柔性光探測器,由柔性襯底,依次在柔性襯底上制備的鈣鈦礦薄膜和上轉換粒子層,以及直接設置在上轉換離子層上的金屬電極組成;上轉換粒子層的厚度為10~50納米。
一種鈣鈦礦的寬波段柔性光探測器的制備方法,包括如下步驟:
步驟1,在柔性襯底上采用真空沉積、溶液旋涂、印刷和噴涂中的任意一種方法制備鈣鈦礦晶體,形成鈣鈦礦薄膜;
步驟2,直接在鈣鈦礦薄膜上采用旋涂或者印刷制備厚度為10~50納米的上轉換粒子,形成上轉換粒子層,得到由鈣鈦礦薄膜和上轉換粒子層組成的鈣鈦礦/上轉換粒子復合物;
步驟3,對鈣鈦礦/上轉換粒子復合物上直接真空蒸鍍金屬電極,制成了能夠響應可見-近紅外光波段的鈣鈦礦的寬波段柔性光探測器。
優(yōu)選的,步驟1中,所述的柔性襯底為柔性PET薄膜。
優(yōu)選的,步驟1中,所述鈣鈦礦晶體采用有機鹵素鈣鈦礦。
優(yōu)選的,步驟1中,所述鈣鈦礦晶體采用MAPbI3及其摻雜物、MASnI3及其衍生物、FAPbI3及其摻雜物、FASnI3及其摻雜物、MAPbBr3及其摻雜物、(BA)2MAn-1PbnI3n+1及其衍生物、CH3NH3PbI3-x(SCN)X及其衍生物和(PEA)2(MA)2(Pb3I10)及其衍生物中的任意一種。
優(yōu)選的,步驟2中,所述上轉換粒子采用具有近紅外吸收特性的NaYF4:Yb-Er粒子、NaYbF4:Yb-Er粒子、NaLuF4:Yb-Er粒子和NaGdF4:Yb-Er粒子中的一種或多種。
優(yōu)選的,步驟2中,上轉換粒子直接覆蓋在鈣鈦礦薄膜上,其厚度為10~50納米。
優(yōu)選的,步驟3中,所述金屬電極為Ca、Ba、Li、Mg、Al、Au和Ag,以及這些金屬的合金,與這些金屬的鹽中的任意一種。
優(yōu)選的,步驟1中,鈣鈦礦薄膜的厚度為100納米到5微米。
優(yōu)選的,在90℃到100℃區(qū)間熱退火鈣鈦礦/上轉換粒子復合物5分鐘到1小時。
與現(xiàn)有技術相比,本發(fā)明具有以下有益的技術效果:
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
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