[發明專利]一種材料結晶過程的計算機數值模擬方法有效
| 申請號： | 201710294720.7 | 申請日： | 2017-04-28 |
| 公開（公告）號： | CN107133466B | 公開（公告）日： | 2020-08-18 |
| 發明（設計）人： | 劉永志;張世勛 | 申請（專利權）人： | 鄭州大學 |
| 主分類號： | G16C20/80 | 分類號： | G16C20/80;G06T17/00 |
| 代理公司： | 鄭州德勤知識產權代理有限公司 41128 | 代理人： | 黃紅梅 |
| 地址： | 450001 河南省鄭州*** | 國省代碼： | 河南;41 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 材料 結晶 過程 計算機 數值 模擬 方法 | ||
1.一種材料結晶過程的計算機數值模擬方法，其中，結晶過程分為晶體成核和晶體生長兩個階段，其特征在于：在模擬晶體成核時，晶核的位置在三維區域內模擬，晶體的生長和碰撞過程在三維模擬區域內特定的截面或者截線上模擬；
在三維模擬區域內特定的截面模擬晶體的生長和碰撞過程為：
選擇三維模擬區域V內特定的一個或n個截面Ai，計算所有晶體和特定截面Ai相交的圖像；
計算與某一截面Ai相交的晶體在這個截面內不同方向的生長速度，并以該速度模擬該晶體在這個截面內的生長過程，在所選定的特定截面Ai內模擬相鄰晶體的碰撞過程；
在計算機模擬的每個時間步長內，計算截面Ai內晶體的面密度，運用德萊賽定律，將晶體的某個面密度或者幾個面密度的統計平均值與晶體在三維空間的體密度等價，獲得三維空間的晶體相對結晶度；
在三維模擬區域內特定的截線上模擬晶體的生長和碰撞過程為：
選擇三維模擬區域V內特定的一個或n個截線Li，計算所有晶體和這些特定截線Li的相交線；
計算與某一截線Li相交的晶體在這個截線Li內不同方向的生長速度，并模擬該晶體沿該截線Li的生長過程；在所選定的特定截線Li上模擬相鄰晶體的碰撞過程；
在計算機模擬的每個時間步長內，計算截線Li上的晶體的線密度，運用羅西瓦爾定律，將晶體的某個線密度或者幾個線密度的統計平均值與晶體的體密度等價，獲得三維空間中晶體的相對結晶度。
2.根據權利要求1所述的材料結晶過程的計算機數值模擬方法，其特征在于：在模擬晶體的生長和碰撞過程中，晶體在截面Ai或截線Li上的形貌可以輸出保存。
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