[發(fā)明專利]一種多光譜發(fā)光二極管結構在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710284866.3 | 申請日： | 2017-04-27 |
| 公開（公告）號： | CN107170866A | 公開（公告）日： | 2017-09-15 |
| 發(fā)明（設計）人： | 劉軍林;江風益;莫春蘭;張建立;王小蘭;吳小明;高江東 | 申請（專利權）人： | 南昌大學;南昌黃綠照明有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/06 | 分類號： | H01L33/06;H01L33/04;H01L33/30;H01L33/26 |
| 代理公司： | 江西省專利事務所36100 | 代理人： | 張文 |
| 地址： | 330047 *** | 國省代碼： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 光譜 發(fā)光二極管 結構 | ||
1.一種多光譜發(fā)光二極管結構，包含：襯底；層疊于所述襯底上的半導體疊層，該半導體疊層至少包含一層n型半導體層、一層p型半導體層和一層夾于n型半導體層、p型半導體層之間的多光譜發(fā)光多量子阱層；其特征在于：所述多光譜發(fā)光多量子阱層由量子阱禁帶寬度不同的兩組或三組層疊排列的多量子阱發(fā)光單元組成，兩組層疊排列的多量子阱發(fā)光單元能同時出射兩種波長的光，三組層疊排列的多量子阱發(fā)光單元能同時出射三種波長的光，任意兩種波長的光之間的波長差為λ，其中:100nm≥λ≥10nm；所述多量子阱發(fā)光單元是由量子阱層和量子壘層組成的周期結構，周期數(shù)為k，其中:10≥k≥1；所述多量子阱發(fā)光單元的發(fā)光波長由多量子阱發(fā)光單元的量子阱禁帶寬度決定，發(fā)光波長范圍為380nm─700nm。
2.根據(jù)權利要求1所述的多光譜發(fā)光二極管結構，其特征在于：發(fā)光光譜通過改變所述多量子阱發(fā)光單元的量子阱禁帶寬帶、量子阱層和量子壘層周期結構的周期數(shù)、量子阱層厚度、量子壘層厚度進行調節(jié)。
3.根據(jù)權利要求1所述的多光譜發(fā)光二極管結構，其特征在于：所述半導體疊層是銦鎵鋁氮（InxGayAl1-x-yN，0≤x≤1，0≤y≤1）或銦鎵鋁磷（InxGayAl1-x-yP，0≤x≤1，0≤y≤1）發(fā)光材料中的一種。
4.根據(jù)權利要求1所述的多光譜發(fā)光二極管結構，其特征在于：所述襯底為硅、藍寶石、碳化硅、砷化鎵、氮化鋁、磷化鎵、氧化鋅以及氮化鎵中的一種。
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