[發明專利]具有非對稱源極/漏極的半導體器件

有效

• 申請號: 201710281354.1
• 申請日: 2016-04-25
• 公開（公告）號: CN107123685B
• 公開（公告）日: 2020-11-10
• 發明（設計）人: 鄭鐘基;姜明一;金倫楷;李寬欽
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L21/336;H01L21/8234;H01L27/088;H01L29/06;H01L29/08;H01L29/16;H01L29/161;H01L29/165;H01L29/417
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 張帆;張青

一種半導體器件包括襯底、從所述襯底突出的有源鰭以及布置在所述有源鰭的上表面上的非對稱菱形源極/漏極。所述源極/漏極包括第一晶體生長部分和第二晶體生長部分，第二晶體生長部分與第一晶體生長部分共享一個平面，并且第二晶體生長部分的下表面布置在比第一晶體生長部分的下表面更低的水平高度上。

本申請是基于2016年4月23日提交的、申請號為201610262462.X、發明創造名稱為“具有非對稱源極/漏極的半導體器件”的中國專利申請的分案申請。

相關申請的交叉引用

本申請要求于2015年4月23日提交的韓國專利申請第10-2015-0057193號的優先權，其公開內容以引用方式全部合并于此。

技術領域

本申請涉及一種半導體器件。

背景技術

最近，安裝在移動產品中的半導體芯片趨向于小型化和高度集成，并且半導體器件相應地變小。

隨著集成在半導體芯片中的半導體器件的尺寸縮小，晶體生長源極/漏極的接觸面積減小，并且半導體器件的導通電流特性下降。已經提出了各種不同的解決這種問題的方法。

發明內容

本發明構思的各實施例提供一種半導體器件，在其中通過生長具有非對稱形狀的源極/漏極而進一步獲得源極/漏極的接觸面積。

本發明構思的其他實施例提供形成有利于高度集成并且具有優良的電特性的半導體器件的方法。

本發明構思的技術目的不限于上述公開；基于下面的描述，其他目的對于本領域普通技術人員而言會變得顯而易見。

根據本發明構思的一個方面，一種半導體器件包括襯底、從所述襯底突出的有源鰭以及布置在所述有源鰭的上表面上的非對稱菱形源極/漏極。所述源極/漏極包括第一晶體生長部分和第二晶體生長部分，所述第二晶體生長部分與所述第一晶體生長部分共享一個平面，并且所述第二晶體生長部分的下表面布置在比所述第一晶體生長部分的下表面更低的水平高度上。

所述第一晶體生長部分可以與所述有源鰭的上表面接觸，并且所述第二晶體生長部分可以與所述有源鰭的側表面接觸。所述第二晶體生長部分可以與所述第一晶體生長部分共享一個平面，并且具有矩形形狀。

根據本發明構思的另一個方面，一種半導體器件包括襯底、從所述襯底突出的有源鰭、填充在各有源鰭之間的器件隔離層以及形成在有源鰭上的非對稱源極/漏極。鄰近于有源鰭的一些側表面的器件隔離層的上表面布置在相對低的水平高度上，并且鄰近于與所述一些側表面平行的其他側表面的器件隔離層的上表面布置在相對高的水平高度上。所述多個源極/漏極包括：第一晶體生長部分，其與有源鰭的上表面和布置在相對高的水平高度上的器件隔離層的上表面接觸；以及第二晶體生長部分，其與第一晶體生長部分共享平面，并且與各有源鰭的側表面和布置在相對低的水平高度上的器件隔離層的上表面接觸。

鄰近于相鄰有源鰭的相對的側表面的器件隔離層的上表面可以布置在相同的水平高度上。所述半導體器件還可以包括與有源鰭交叉的柵極疊層。柵極疊層中的每一個可以包括柵極介電層和柵電極。柵極介電層可以包括：下表面，其接觸器件隔離層的上表面和有源鰭的上表面；以及與所述下表面垂直的側表面。柵電極可以與柵極介電層的下表面和側表面接觸。

所述半導體器件還可以包括：第一溝槽，其由多個有源鰭共享，并且具有第一寬度；以及第二溝槽，其具有大于第一寬度的第二寬度。第一溝槽的側表面和第二溝槽的側表面可以是有源鰭的側表面。器件隔離層可以填充第一溝槽和第二溝槽，并且鄰近于第一溝槽的側表面的器件隔離層的上表面可以布置在比鄰近于第二溝槽的側表面的器件隔離層的上表面更高的水平高度上。