[發(fā)明專(zhuān)利]一種可拉伸或彎折復(fù)合電路系統(tǒng)及其制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710279003.7
• 申請(qǐng)日: 2017-04-25
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107249254B
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-08-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 羅洪盛;黃為民;周興東;王華權(quán)
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 廣東工業(yè)大學(xué)
• 主分類(lèi)號(hào): H05K3/00
• 分類(lèi)號(hào): H05K3/00;H05K3/10;H05K1/02;H05K1/03
• 代理公司: 廣東廣信君達(dá)律師事務(wù)所 44329
• 代理人: 楊曉松

1.一種可拉伸或彎折復(fù)合電路系統(tǒng)的制備方法，其特征在于：包括如下步驟：

S1：制備彈性形狀記憶聚合物；

S2：將步驟S1制備的彈性形狀記憶聚合物在60-120℃下預(yù)拉伸10％-150％，然后降至室溫固定所述彈性形狀記憶聚合物的臨時(shí)形狀；

S3：在步驟S2得到的預(yù)拉伸過(guò)的彈性形狀記憶聚合物的內(nèi)部或表面上通過(guò)噴涂、粘貼或電路打印工藝制備電路系統(tǒng)；

S4：加熱觸發(fā)經(jīng)步驟S3處理的彈性形狀記憶聚合物形狀回復(fù)，導(dǎo)致電路系統(tǒng)形成褶皺，得到可拉伸或彎折復(fù)合電路系統(tǒng)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種可拉伸或彎折復(fù)合電路系統(tǒng)的制備方法，其特征在于：步驟S1中，將熱熔膠組分添加到液態(tài)的硅膠彈性體中，在85℃下充分?jǐn)嚢杈鶆颍缓蠼档绞覝兀偌尤牍袒瘎谷肽＞咧泄袒赡ぃ苽涑鰪椥孕螤钣洃浘酆衔铩?/p>

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種可拉伸或彎折復(fù)合電路系統(tǒng)的制備方法，其特征在于：硅彈性體中添加10％-40％質(zhì)量分?jǐn)?shù)的熱熔膠組分，混合形成的彈性形狀記憶聚合物的固定率為50％-90％，回復(fù)率保持在95％-99％，同時(shí)，室溫下彈性形狀記憶聚合物的彈性模量為0.5MPa-5MPa。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種可拉伸或彎折復(fù)合電路系統(tǒng)的制備方法，其特征在于：硅彈性體中添加10％-40％質(zhì)量分?jǐn)?shù)的聚氨酯組分，混合形成的彈性形狀記憶聚合物的固定率為50％-90％，回復(fù)率保持在95％-99％，同時(shí)，室溫下彈性形狀記憶聚合物的彈性模量為0.2MPa-4MPa。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種可拉伸或彎折復(fù)合電路系統(tǒng)的制備方法，其特征在于：硅彈性體中添加10％-40％質(zhì)量分?jǐn)?shù)的石蠟組分，混合后所形成的彈性形狀記憶聚合物的固定率為50％-90％，回復(fù)率保持在90％-99％，同時(shí)，室溫下彈性形狀記憶聚合物的彈性模量為0.2MPa-6MPa。

6.根據(jù)權(quán)利要求1-5之一所述制備方法制備的一種可拉伸或彎折復(fù)合電路系統(tǒng)，其特征在于：包括彈性形狀記憶聚合物，所述彈性形狀記憶聚合物內(nèi)部嵌有或表面覆蓋有電路系統(tǒng)，所述彈性形狀記憶聚合物經(jīng)過(guò)拉伸或者彎折，在一定的變形范圍內(nèi)，電路系統(tǒng)的性能維持不變。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種可拉伸或彎折復(fù)合電路系統(tǒng)，其特征在于：所述電路系統(tǒng)被包埋或者印制或者覆蓋于單向、雙向或局部預(yù)拉伸過(guò)的彈性形狀記憶聚合物基底內(nèi)或表面層，再經(jīng)加熱觸發(fā)其形變回復(fù)使電路系統(tǒng)產(chǎn)生褶皺，以此褶皺狀態(tài)作為初始狀態(tài)，當(dāng)復(fù)合電路系統(tǒng)在外力作用下發(fā)生一定程度的拉伸或彎折變形時(shí)，電路系統(tǒng)通過(guò)褶皺拉平或加深避免被拉壓破壞，從而維持原電路的工作性能。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種可拉伸或彎折復(fù)合電路系統(tǒng)，其特征在于：所述彈性形狀記憶聚合物的材料種類(lèi)包括但不限于：基于熱熔膠體系的彈性的硅膠、基于聚氨酯體系的彈性的硅膠、基于石蠟體系的彈性的硅膠、乙烯-醋酸乙烯共聚物及EVA海綿、聚氨酯彈性體及其海綿和全氟磺酸離子膠。