[發明專利]共享接觸孔短路缺陷的測試結構、制備方法和測試方法

有效

• 申請號: 201710276138.8
• 申請日: 2017-04-25
• 公開（公告）號: CN107293503B
• 公開（公告）日: 2019-11-22
• 發明（設計）人: 范榮偉;陳宏璘;龍吟;王愷
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66
• 代理公司: 31275 上海天辰知識產權代理事務所(特殊普通合伙)
• 代理人: 吳世華;陳慧弘<國際申請>=<國際公布>

1.一種柵源共享接觸孔短路缺陷的測試結構，其特征在于，具有第一導電類型晶體管；第一導電類型晶體管包括：有源區、位于有源區上設置的第一柵極和第二柵極、第二柵極的一端的底部不設置有源區；位于第一柵極上的第一柵源共享接觸孔和位于第二柵極的所述一端上的第二柵源共享接觸孔；第一柵源共享接觸孔連接第一柵極一端和有源區；第二柵源共享接觸孔僅連接第二柵極的所述一端，第二柵源共享接觸孔的底部不連接有源區；其中，

當第一柵源共享接觸孔呈導通狀態時，第二柵源共享接觸孔的正常狀態為不導通，第二柵源共享接觸孔的異常狀態為導通；其中，第二柵源共享接觸孔底部設置有隔離結構，第二柵源共享接觸孔與隔離結構相接觸且同時與第二柵極的所述一端相接觸，此時，所述第二柵源共享接觸孔處于正常狀態；當第二柵源共享接觸孔與鄰近柵極短接時，所述第二柵源共享接觸孔處于異常狀態。

2.根據權利要求1所述的測試結構，其特征在于，所述第二柵源共享接觸孔底部設置的隔離結構為淺溝槽隔離結構。

3.根據權利要求1所述的測試結構，其特征在于，第一柵極和第二柵極之間平行排布。

4.根據權利要求1所述的測試結構，其特征在于，所述有源區包括N型深阱區和位于N型深阱區內的P型摻雜區，所述第一柵極設置于N型深阱區上，所述第一柵源共享接觸孔設置于P型摻雜區和所述第一柵極上；或者所述有源區包括N型深阱區和位于N型深阱區內的N型摻雜區，所述第一柵極設置于N型深阱區上，所述第一柵源共享接觸孔設置于N型摻雜區和所述第一柵極上；或者所述有源區包括P型深阱區和位于P型深阱區內的P型摻雜區，所述第一柵極設置于P型深阱區上，所述第一柵源共享接觸孔設置于P型摻雜區和所述第一柵極上。

5.根據權利要求1所述的測試結構，其特征在于，所述有源區包括P型深阱區和位于P型深阱區內的N型摻雜區，所述第一柵極設置于P型深阱區上，所述第一柵源共享接觸孔設置于N型摻雜區和所述第一柵極上；或者所述有源區包括P型深阱區和位于P型深阱區內的P型摻雜區，所述第一柵極設置于P型深阱區上，所述第一柵源共享接觸孔設置于P型摻雜區和所述第一柵極上；或者所述有源區包括N型深阱區和位于N型深阱區內的N型摻雜區，所述第一柵極設置于N型深阱區上，所述第一柵源共享接觸孔設置于N型摻雜區和所述第一柵極上。

6.根據權利要求1所述的測試結構，其特征在于，還包括第二導電類型晶體管；第一導電類型晶體管和第二導電類型晶體管交替排布。

7.一種采用權利要求1所述的測試結構的制備方法，其特征在于，包括：

步驟01：提供一襯底；在襯底中制備用于第一導電類型晶體管的有源區；

步驟02：在第一導電類型晶體管的有源區上制備第一柵極和第二柵極；其中，第二柵極的一端底部不位于有源區上；

步驟03：在第一柵極和有源區上制備第一柵源共享接觸孔，在第二柵極的所述一端上制備第二柵源共享接觸孔；其中，第二柵源共享接觸孔僅連接第二柵極的所述一端，且第二柵源共享接觸孔底部不連接有源區。

8.根據權利要求7所述的制備方法，其特征在于，所述步驟01中，還包括：在有源區之外區域且對應于待形成的第二柵源共享接觸孔下方形成隔離結構。

9.根據權利要求7所述的制備方法，其特征在于，所述有源區包括N型深阱區和位于N型深阱區內的P型摻雜區，所述第一柵極設置于N型深阱區上，所述第一柵源共享接觸孔設置于P型摻雜區和所述第一柵極上；或者所述有源區包括N型深阱區和位于N型深阱區內的N型摻雜區，所述第一柵極設置于N型深阱區上，所述第一柵源共享接觸孔設置于N型摻雜區和所述第一柵極上；或者所述有源區包括P型深阱區和位于P型深阱區內的P型摻雜區，所述第一柵極設置于P型深阱區上，所述第一柵源共享接觸孔設置于P型摻雜區和所述第一柵極上。