[發(fā)明專(zhuān)利]存儲(chǔ)器件及其制造方法及包括該存儲(chǔ)器件的電子設(shè)備

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710273427.2
• 申請(qǐng)日: 2017-04-24
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN106992182B
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-06-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 朱慧瓏
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 中國(guó)科學(xué)院微電子研究所
• 主分類(lèi)號(hào): H01L27/11556
• 分類(lèi)號(hào): H01L27/11556;H01L27/11582
• 代理公司: 中科專(zhuān)利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 倪斌

1.一種存儲(chǔ)器件，包括：

在襯底上形成的從襯底向上延伸的多個(gè)柱狀有源區(qū)；以及

在襯底上從下向上依次排列、彼此隔開(kāi)且分別圍繞各柱狀有源區(qū)的多層?xùn)烹姌O層，其中各柵電極層介由存儲(chǔ)柵介質(zhì)疊層面對(duì)各柱狀有源區(qū)，

其中，柱狀有源區(qū)中包括與各柵電極層相對(duì)的第一摻雜區(qū)和位于各第一摻雜區(qū)相對(duì)兩側(cè)的第二摻雜區(qū)，其中，第一摻雜區(qū)中的摻雜特性不同于第二摻雜區(qū)中的摻雜特性。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器件，其中，第二摻雜區(qū)中的摻雜濃度高于第一摻雜區(qū)中的摻雜濃度。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器件，其中，第一摻雜區(qū)中的摻雜類(lèi)型與第二摻雜區(qū)中的摻雜類(lèi)型相同或者不同。

4.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)所述的存儲(chǔ)器件，還包括：

位于各柵電極層之間的摻雜劑源層，其中，摻雜劑源層包含與第二摻雜區(qū)相同類(lèi)型的摻雜劑。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的存儲(chǔ)器件，其中，第二摻雜區(qū)呈環(huán)狀，其外壁是柱狀有源區(qū)的外壁。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的存儲(chǔ)器件，還包括：位于各柵電極層與各摻雜劑源層之間的擴(kuò)散阻擋層。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的存儲(chǔ)器件，其中，摻雜劑源層包括n型摻雜的磷硅玻璃或砷硅玻璃，或者p型摻雜的硼硅玻璃，其中所含的摻雜劑的濃度為0.01％-10％。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器件，其中，柵電極層包括摻雜的多晶硅或金屬。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器件，其中，柱狀有源區(qū)中的半導(dǎo)體材料是同質(zhì)的。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器件，其中，柱狀有源區(qū)中第一摻雜區(qū)所在的部分相對(duì)于柱狀有源區(qū)中的其余部分向外突出，且柱狀有源區(qū)中第一摻雜區(qū)和第二摻雜區(qū)之外的部分具有高于第一摻雜區(qū)且低于第二摻雜區(qū)的濃度。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的存儲(chǔ)器件，其中，第一摻雜區(qū)的摻雜濃度為1E16cm^-3-1E18cm^-3，第二摻雜區(qū)的摻雜濃度為1E18cm^-3-5E21cm^-3，柱狀有源區(qū)中第一摻雜區(qū)和第二摻雜區(qū)之外的部分的摻雜濃度為1E17cm^-3-5E19cm^-3。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器件，其中，柱狀有源區(qū)是中空的，其中填充有電介質(zhì)。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器件，其中，存儲(chǔ)柵介質(zhì)疊層包括依次疊置的第一柵介質(zhì)層、電荷俘獲層和第二柵介質(zhì)層。

14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器件，其中，第一摻雜區(qū)中的摻雜分布與第二摻雜區(qū)中的摻雜分布基本對(duì)準(zhǔn)。

15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器件，其中，在存儲(chǔ)柵介質(zhì)疊層的法線(xiàn)方向上，柱狀有源區(qū)包括位于第一摻雜區(qū)內(nèi)側(cè)且摻雜濃度比第一摻雜區(qū)中的摻雜濃度高的區(qū)域。

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的存儲(chǔ)器件，其中，第一摻雜區(qū)中的摻雜濃度為1E16cm^-3-3E18cm^-3。

17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的存儲(chǔ)器件，其中，所述區(qū)域中的摻雜濃度為1E17cm-³-2E19cm^-3。