[發明專利]一種讀操作方法和裝置

在審

• 申請號: 201710272635.0
• 申請日: 2017-04-24
• 公開（公告）號: CN108735265A
• 公開（公告）日: 2018-11-02
• 發明（設計）人: 蘇志強;劉會娟;程瑩;李建新
• 申請（專利權）人: 北京兆易創新科技股份有限公司
• 主分類號: G11C16/26
• 分類號: G11C16/26
• 代理公司: 北京潤澤恒知識產權代理有限公司 11319
• 代理人: 蘇培華

本發明實施例提供一種讀操作方法和裝置，應用于包括多個字線的NAND FLASH，方法包括以下步驟：接收讀操作信號；向所述讀操作信號對應的選中字線施加第一電壓，向與所述選中字線不相鄰的非選中字線施加第二電壓，以及向與所述選中字線相鄰的非選中字線施加第三電壓；所述第一電壓小于所述第二電壓，所述第二電壓小于所述第三電壓；讀取所述讀操作信號對應存儲單元中的數據。本發明實施例可以確保與選中字線相鄰的非選中字線下的NAND FLASH存儲單元串導通，避免了現有技術中誤讀的情況，有效提高了讀操作的準確性。

技術領域

本發明涉及存儲技術領域，特別是涉及一種讀操作方法和一種讀操作裝置。

背景技術

參照圖1，現有技術中，在對NAND FLASH(閃存)進行讀操作時，向選中字線施加一個低電壓V_CGRV_A’，而向非選中字線施加一個高電壓V_READ’，以使待讀FLASH cell(存儲單元)之外的其它FLASH cell都導通，從而能正確判斷選中字線下待讀FLASH cell的閾值。

現有技術中的讀操作方式存在以下缺陷：由于NAND FLASH的工藝尺寸小，字線上的電壓會對FLASH cell中的floating gate(浮柵)產生顯著的coupling(耦合)效應。即對于與選中字線不相鄰的非選中字線，非選中字線下FLASH cell的floating gate左右兩側均被V_READ’電壓couple，非選中字線下FLASH cell的floating gate會被couple到一個比較高的電壓。而如圖1中箭頭所示，對于與選中字線相鄰的非選中字線下的FLASH cell，couple一側的電壓是低壓V_CGRV_A’，與選中字線相鄰的非選中字線下的floating gate被couple的電壓低于其他非選中字線下FLASH cell的floating gate電壓，這可以看作抬高與選中字線相鄰的非選中下的FLASH cell的閾值。如果與選中字線相鄰的非選中下的pgm(被編程后的FLASH cell)cell本身的閾值電壓比較高，而與選中字線相鄰的非選中字線下的floating gate被couple的電壓不夠高，則會導致與選中字線相鄰的非選中字線的導通電阻大，與選中字線相鄰的非選中下的pgm cell的導通電流很小，最終出現誤讀的情況。

發明內容

鑒于上述問題，本發明實施例的目的在于提供一種讀操作方法和相應的一種讀操作裝置，以解決現有技術中的讀操作方式會造成與選中字線相鄰的非選中字線下的floating gate被couple的電壓低，而出現誤讀的情況的問題。

為了解決上述問題，本發明實施例公開了一種讀操作方法，應用于包括多個字線的NAND FLASH，包括以下步驟：

接收讀操作信號；

向所述讀操作信號對應的選中字線施加第一電壓，向與所述選中字線不相鄰的非選中字線施加第二電壓，以及向與所述選中字線相鄰的非選中字線施加第三電壓；所述第一電壓小于所述第二電壓，所述第二電壓小于所述第三電壓；

讀取所述讀操作信號對應存儲單元中的數據。

具體地，所述第三電壓根據所述第一電壓、所述第二電壓和NAND FLASH存儲單元的特性確定。

可選地，所述向所述讀操作信號對應的選中字線施加第一電壓，向與所述選中字線不相鄰的非選中字線施加第二電壓，以及向與所述選中字線相鄰的非選中字線施加第三電壓同時進行。

可選地，讀操作方法還包括：

接收電壓調整信號；

根據所述電壓調整信號調整所述第三電壓的大小。

為了解決上述問題，本發明實施例公開了一種讀操作裝置，應用于包括多個字線的NAND FLASH，包括：

第一信號接收模塊，用于接收讀操作信號；