[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件及其制作方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201710271479.6
• 申請日: 2017-04-24
• 公開（公告）號: CN108735599A
• 公開（公告）日: 2018-11-02
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 羅梓源;曾清秋;許志維
• 申請（專利權(quán)）人: 敦南科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/329
• 分類號: H01L21/329;H01L21/56;H01L29/861;H01L23/29;H01L23/31
• 代理公司: 隆天知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003
• 代理人: 李昕巍;章侃銥

1.一種半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體器件的制作方法包括：

提供一半導(dǎo)體基板；

圖案化所述半導(dǎo)體基板，以形成一高原結(jié)構(gòu)及一相鄰于所述高原結(jié)構(gòu)的溝槽；

形成一鈍化層，以共形地覆蓋所述溝槽的壁面，其中所述鈍化層包括一氮化物層；以及

形成一電極層于所述高原結(jié)構(gòu)的表面上。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，在圖案化所述半導(dǎo)體基板的步驟中，還進一步包括：

形成一圖案化光致抗蝕劑于所述半導(dǎo)體基板上，所述圖案化光致抗蝕劑覆蓋所述半導(dǎo)體基板的一中央?yún)^(qū)域，并暴露出所述半導(dǎo)體基板的一周邊區(qū)域，其中，所述周邊區(qū)域圍繞所述中央?yún)^(qū)域；

蝕刻所述半導(dǎo)體基板，以于所述中央?yún)^(qū)域形成所述高原結(jié)構(gòu)，并于所述周邊區(qū)域形成所述溝槽；以及

移除所述圖案化光致抗蝕劑。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，在形成所述鈍化層步驟中，還進一步包括：

沉積一鈍化層，以覆蓋所述高原結(jié)構(gòu)的表面與所述溝槽的壁面；以及

移除所述鈍化層的一部分，以暴露出所述高原結(jié)構(gòu)的表面。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，沉積所述鈍化層的方法包括低壓化學(xué)氣相沉積。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，在沉積所述鈍化層的步驟中，還進一步包括：依序沉積一半絕緣多晶硅層、一第一氧化物層、所述氮化物層以及一第二氧化物層于所述高原結(jié)構(gòu)的表面與所述溝槽的壁面上。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，移除所述鈍化層的一部分的方法包括表面研磨。

7.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述半導(dǎo)體器件包括：

一半導(dǎo)體基板，所述半導(dǎo)體基板包括一高原結(jié)構(gòu)以及一相鄰于所述高原結(jié)構(gòu)的溝槽；

一鈍化層，所述鈍化層共形地覆蓋所述溝槽的壁面，其中，所述鈍化層包括一氮化物層；以及

一電極層，所述電極層形成于所述高原結(jié)構(gòu)的表面。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述半導(dǎo)體基板具有一第一型重摻雜區(qū)、一位于所述第一型重摻雜區(qū)上的第一型摻雜區(qū)以及一位于所述第一型摻雜區(qū)上的第二型摻雜區(qū)，且所述第一型摻雜區(qū)與所述第二型摻雜區(qū)之間形成有一異質(zhì)接面。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述溝槽圍繞所述高原結(jié)構(gòu)，所述溝槽穿過所述第二型摻雜區(qū)且延伸至所述第一型摻雜區(qū)中，且所述溝槽的寬度從所述第二型摻雜區(qū)朝所述第一型摻雜區(qū)的方向漸減。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述鈍化層包括一半絕緣多晶硅層、一第一氧化物層以及一第二氧化物層，所述第一氧化物層與所述第二氧化物層位于所述半絕緣多晶硅層上，且所述氮化物層位于所述第一氧化物層與所述第二氧化物層之間。