[發明專利]OLED復合阻隔膜,及使用該OLED復合阻隔膜的顯示器在審
| 申請號: | 201710267601.2 | 申請日: | 2017-04-21 |
| 公開(公告)號: | CN107359266A | 公開(公告)日: | 2017-11-17 |
| 發明(設計)人: | 謝再鋒;黃達;曹辰輝 | 申請(專利權)人: | 瑞聲科技(新加坡)有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/52 | 分類號: | H01L51/52;H01L51/54 |
| 代理公司: | 長沙市阿凡提知識產權代理有限公司43216 | 代理人: | 胡國良 |
| 地址: | 新加坡宏茂橋*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | oled 復合 阻隔 使用 顯示器 | ||
技術領域
本發明涉及有機發光顯示(OLED)裝置,具體涉及一種OLED復合阻隔膜,及使用該OLED復合阻隔膜的有機發光二極管顯示器。
背景技術
有機發光二極管(OLEDs)是具有廣視角,響應時間短,輕薄和可實現任意彎曲的新一代新型顯示技術,在大面積平板顯示和照明方面的應用引起了工業界和學術界的廣泛關注。目前采用的第三代柔性OLED的封裝采用TFE(Thin film encapsulation薄膜封裝)技術,即,在OLED上沉積一層或幾層的薄膜層來隔絕外界水氧。這種技術的優點在于:1)進一步使OLED顯示裝置輕薄化,將厚度從500μm降低到30μm以內;2)提高柔韌性,可彎折,以提高手機的顯示面積。
現有的TFE技術有兩種方式,包括在OLED表面依次沉積ALF3層、聚合物層、SiN層、聚合物層和SiN層,或者在OLED表面多次沉積聚合物層和Al2O3層。
這兩種方式都是在OLED上逐層制備多層無機物薄膜和聚合物薄膜,其中,無機阻隔薄膜主要提供阻隔水氧的屏障,聚合物薄膜主要是消除無機阻隔薄膜的熱殘留應力和覆蓋無機薄膜制程中的異物的雙重作用,兩者合稱為TFE薄膜。但存在以下問題:1)TFE薄膜抗機械能力差,一旦TFE薄膜表面被輕微刮傷或有明顯的針孔,OLED遇到水汽后,TFE薄膜立即與相鄰的有機層剝離開來,導致產品失效。2)異物引發不良,TFE薄膜封裝技術很容易將腔體中的異物引入到薄膜的沉積過程中,尤其是無機物薄膜的等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)工序,即使再制備下一層薄膜(有機聚合物薄膜)進行覆蓋也無法彌補,這是因為異物的尺寸很大,往往超過有機薄膜的膜厚。當對OLED施加外界應力時,TFE薄膜便可能從異物處剝離開來。3):不夠完美的抗水氧能力,依據目前OLED柔性技術,最為關鍵的一道水氧阻隔屏障就是無機物薄膜。由于無機物薄膜采用PECVD、PVD、Sputter或其它氣相沉積方式制作,這些工藝難以避免在薄膜形成過程中產生針孔、空位、通道等缺陷,這些缺陷正是水汽滲透的最佳路徑。即使在無機物薄膜上覆蓋有機物薄膜,這樣的TFE設計,理論上給予水氧分子滲透更多的可能性。
因此,需要進一步增強柔性OLED出光效果,以及OLED抵抗環境中的水氧能力。
發明內容
本發明的第一目的在于提供一種OLED復合阻隔膜。
本發明的第二目的在于提供使用該OLED復合阻隔膜的有機發光二極管顯示器。
為了實現本發明的第一目的,所述OLED復合阻隔膜包括:依次貼合的粘合層、阻隔層和保護層,所述阻隔層包括m個無機層和n個有機層,其中,0≤m≤10,1≤n≤9。
優選地,所述阻隔層的最外層均為所述無機層,且所述有機層和所述無機層在所述阻隔層內間隔設置,優選所述阻隔層包括依次貼合的第一無機層、第一有機層和第二無機層,或者所述阻隔層包括依次貼合的第一無機層、第一有機層、第二無機層、第二有機層和第三無機層。
優選地,所述無機層的材料選自氮化物、氧化物、氮氧化物、碳氮化物、碳氧化物、金屬硫化物、金屬氟化物中的至少一種,優選選自SiN、SiC、SiO2、Al2O3、TiO2中的至少一種。
優選地,所述有機層包括可固化高分子材料、偶聯劑和納米顆粒,所述納米顆粒與所述偶聯劑耦合,在所述有機層內均勻分布。
優選所述可固化高分子材料選自含有羥基和/或羰基的高分子材料,更優選選自聚乙烯及其衍生物、環氧樹脂及其衍生物、聚丙烯及其衍生物、酚醛樹脂及其衍生物、聚苯乙烯及其衍生物、聚氨酯及其衍生物、聚氯乙烯及其衍生物、不飽和聚酯、聚甲基丙烯酸甲酯及其衍生物、聚砜及其衍生物、聚酰胺及其衍生物、聚醚砜及其衍生物、聚碳酸酯及其衍生物、聚醚醚酮及其衍生物、聚甲醛及其衍生物、聚苯硫醚及其衍生物、聚對苯二甲酸丁二醇酯及其衍生物、聚四氟乙烯及其衍生物、丙烯晴-丁二烯-苯乙烯及其衍生物中的至少一種。
優選所述偶聯劑為可固化硅烷,其含有至少一個硫醇基、羥基、胺基、烷氧基、烯基、炔基和/或羰基,更優選所述可固化硅烷選自3-氨丙基三甲基硅烷、(3-巰丙基)三甲氧基硅烷、N-(2-氨乙基)-3-氨丙基三甲氧基硅烷。
優選地,所述納米顆粒為中值粒徑在1-1000nm的無機材料,優選為氧化物、氮化物、硫化物、碳化物納米顆粒,更優選為γ-Al2O3。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





