[發(fā)明專(zhuān)利]一種產(chǎn)生太赫茲調(diào)制波的方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710259288.8 | 申請(qǐng)日: | 2017-04-20 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN108736295B | 公開(kāi)(公告)日: | 2019-12-17 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張凌;柳鵬;吳揚(yáng);范守善 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 清華大學(xué);鴻富錦精密工業(yè)(深圳)有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01S1/00 | 分類(lèi)號(hào): | H01S1/00;G02F1/01 |
| 代理公司: | 暫無(wú)信息 | 代理人: | 暫無(wú)信息 |
| 地址: | 100084 北京市海淀區(qū)清*** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 太赫茲波源 碳納米管結(jié)構(gòu) 太赫茲波 調(diào)制波 碳納米管 同一方向 出射面 發(fā)射 激發(fā) 延伸 | ||
本發(fā)明涉及一種產(chǎn)生太赫茲調(diào)制波的方法,其包括以下步驟:提供一太赫茲波源,并使該太赫茲波源激發(fā)產(chǎn)生太赫茲波;以及在所述太赫茲波源的出射面一側(cè)設(shè)置一碳納米管結(jié)構(gòu),使該太赫茲波源產(chǎn)生的太赫茲波透過(guò)該碳納米管結(jié)構(gòu)后發(fā)射出去,其中,該碳納米管結(jié)構(gòu)包括多個(gè)沿同一方向定向延伸的碳納米管。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉太赫茲波檢測(cè)、調(diào)制以及應(yīng)用技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)
太赫茲波通常指的是頻率在0.1THz~10THz,波長(zhǎng)在30μm~3mm之間的電磁波,其波段在微波和紅外光之間,屬于遠(yuǎn)紅外波段。由于缺乏有效的產(chǎn)生方法和檢測(cè)手段,科學(xué)家對(duì)于該波段電磁輻射性質(zhì)的了解非常有限。
近十幾年來(lái),超快激光技術(shù)的迅速發(fā)展,為太赫茲波的產(chǎn)生提供了穩(wěn)定、可靠的激發(fā)光源,使太赫茲波的產(chǎn)生和應(yīng)用得到了蓬勃發(fā)展。然而,由于太赫茲源發(fā)射功率較低,而熱背景噪聲相對(duì)較高,需要高靈敏度的探測(cè)手段探測(cè)太赫茲信號(hào)。目前,人們對(duì)太赫茲波的性能認(rèn)識(shí)比較少。因此,如何檢測(cè)、調(diào)制以及應(yīng)用太赫茲波成為研究的熱點(diǎn)。
發(fā)明內(nèi)容
本申請(qǐng)發(fā)明人研究發(fā)現(xiàn),通過(guò)碳納米管結(jié)構(gòu)可以調(diào)節(jié)太赫茲波的穿透率,即,太赫茲波的穿透率隨著波數(shù)或波長(zhǎng)呈波峰波谷交替形狀。而且,通過(guò)調(diào)節(jié)所述碳納米管結(jié)構(gòu)的溫度,或者調(diào)節(jié)碳納米管結(jié)構(gòu)中碳納米管的延伸方向與太赫茲波偏振方向的夾角,可以進(jìn)一步調(diào)節(jié)該波峰波谷形狀。鑒于此,本發(fā)明提供一種太赫茲波發(fā)射裝置、一種太赫茲波通訊裝置以及一種太赫茲波波長(zhǎng)檢測(cè)裝置。
一種產(chǎn)生太赫茲調(diào)制波的方法,其包括以下步驟:提供一太赫茲波源,并使該太赫茲波源激發(fā)產(chǎn)生太赫茲波;以及在所述太赫茲波源的出射面一側(cè)設(shè)置一碳納米管結(jié)構(gòu),使該太赫茲波源產(chǎn)生的太赫茲波透過(guò)該碳納米管結(jié)構(gòu)后發(fā)射出去,其中,該碳納米管結(jié)構(gòu)包括多個(gè)沿同一方向定向延伸的碳納米管。
如上述產(chǎn)生太赫茲調(diào)制波的方法,其中,所述碳納米管結(jié)構(gòu)包括一碳納米管膜,所述碳納米管膜包括多個(gè)通過(guò)范德華力首尾相連的碳納米管束,每一碳納米管束包括多個(gè)相互平行的碳納米管。
如上述產(chǎn)生太赫茲調(diào)制波的方法,其中,所述多個(gè)碳納米管的表面包覆有金屬導(dǎo)電層。
如上述產(chǎn)生太赫茲調(diào)制波的方法,其中,所述碳納米管結(jié)構(gòu)直接設(shè)置于所述太赫茲波源的出射面上。
如上述產(chǎn)生太赫茲調(diào)制波的方法,其中,所述碳納米管結(jié)構(gòu)與所述太赫茲波源的出射面間隔設(shè)置。
如上述產(chǎn)生太赫茲調(diào)制波的方法,進(jìn)一步包括旋轉(zhuǎn)所述太赫茲波源或/和調(diào)制裝置,從而調(diào)節(jié)所述碳納米管結(jié)構(gòu)中碳納米管的延伸方向與太赫茲波偏振方向的夾角。
如上述產(chǎn)生太赫茲調(diào)制波的方法,進(jìn)一步包括將所述碳納米管結(jié)構(gòu)設(shè)置于一太赫茲波可以穿透的真空容器內(nèi),并加熱所述碳納米管結(jié)構(gòu)。
如上述產(chǎn)生太赫茲調(diào)制波的方法,其中,所述碳納米管結(jié)構(gòu)懸空設(shè)置于所述真空容器內(nèi)。
如上述產(chǎn)生太赫茲調(diào)制波的方法,其中,所述加熱碳納米管結(jié)構(gòu)的方法為在所述碳納米管結(jié)構(gòu)兩端施加一電壓。
如上述產(chǎn)生太赫茲調(diào)制波的方法,其中,所述加熱碳納米管結(jié)構(gòu)的的同時(shí)調(diào)節(jié)所述碳納米管結(jié)構(gòu)中碳納米管的延伸方向與太赫茲波偏振方向的夾角。
相較于現(xiàn)有技術(shù),本發(fā)明的太赫茲波發(fā)射裝置,通過(guò)碳納米管結(jié)構(gòu)對(duì)太赫茲波進(jìn)行調(diào)制,可以發(fā)射調(diào)制的太赫茲波。
附圖說(shuō)明
圖1為本發(fā)明實(shí)施例1提供的太赫茲波發(fā)射裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2為本發(fā)明實(shí)施例1提供的太赫茲波發(fā)射裝置的調(diào)制裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖3為本發(fā)明實(shí)施例1采用的碳納米管拉膜的掃描電鏡照片。
圖4為本發(fā)明實(shí)施例1采用的非扭轉(zhuǎn)的碳納米管線的掃描電鏡照片。
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